[實用新型]一種集成式接近開關及系統

有效

• 申請號: 201921878365.9
• 申請日: 2019-11-04
• 公開（公告）號: CN210867636U
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 張文偉;宋瑞潮
• 申請（專利權）人: 中國科學院西安光學精密機械研究所;西安中科阿爾法電子科技有限公司
• 主分類號: H03K17/95
• 分類號: H03K17/95
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司 61211
• 代理人: 史曉麗

1.一種集成式接近開關，其特征在于：包括霍爾集成電路(1)，以及設置于霍爾集成電路(1)背面的磁性薄膜層(3)，霍爾集成電路(1)和磁性薄膜層(3)之間設有絕緣層(2)，所述磁性薄膜層(3)的N極在上S極在下或S極在上N極在下；霍爾集成電路(1)、絕緣層(2)和磁性薄膜層(3)封裝于一體。

2.如權利要求1所述一種集成式接近開關，其特征在于：所述絕緣層(2)為氮化硅絕緣層。

3.如權利要求1所述一種集成式接近開關，其特征在于：所述絕緣層(2)為二氧化硅絕緣層。

4.一種集成式接近開關系統，其特征在于：包括磁性物體(6)和如權利要求1-3任一項所述集成式接近開關(5)；所述磁性物體(6)與集成式接近開關(5)相對布置，磁性物體(6)與集成式接近開關(5)之間留有間隙。

5.一種集成式接近開關，其特征在于：包括霍爾集成電路(1)和設置于霍爾集成電路(1)背面的磁鐵(4)；所述霍爾集成電路(1)和磁鐵(4)之間設有絕緣層(2)；所述磁鐵(4)的N極和S極連線垂直于霍爾集成電路(1)；霍爾集成電路(1)、絕緣層(2)和磁鐵(4)封裝于一體。

6.如權利要求5所述一種集成式接近開關，其特征在于：所述絕緣層(2)為氮化硅絕緣層。

7.如權利要求5所述一種集成式接近開關，其特征在于：所述絕緣層(2)為二氧化硅絕緣層。

8.一種集成式接近開關系統，其特征在于：包括磁性物體(6)和如權利要求5-7任一項所述集成式接近開關(5)；所述磁性物體(6)與集成式接近開關(5)相對布置，磁性物體(6)與集成式接近開關(5)之間留有間隙。