[實用新型]一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置

有效

• 申請號: 201921859837.6
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN210657118U
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 馬毅;謝續友;黃先偉;俞越翎;張泰華
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

本實用新型公開了一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，包括真空腔室、設置真空腔室頂部的密封蓋、穿設在密封蓋上的升降臺及固定設置在升降臺上的助吸裝置，所述助吸裝置包括吸環、連管及半圓形密封盤，所述吸環上均勻分布吸氣孔，所述連管與吸環相連通，所述半圓形密封盤設置在連管端部位置，所述吸環表面相對位置處設有支撐塊，所述支撐塊上設有緊固螺釘，并通過緊固螺釘與升降臺相連。本實用新型的有益效果是：該裝置設計結構合理，使用方便，應用本裝置為樣品進行磁控濺射鍍膜，使鍍膜效率得到提高，對薄膜的制造領域具有重要的意義。

技術領域

本實用新型涉及真空磁控濺射鍍膜技術領域，具體涉及一種磁控濺射中助吸靶原子的裝置。

背景技術

磁控濺射是物理氣相沉積（Physical Vapor Deposition，PVD）的一種，一般的濺射法可被用于制備金屬、半導體、絕緣體等多材料，且具有設備簡單、易于控制、鍍膜面積大和附著力強等優點，而上世紀 70 年代發展起來的磁控濺射法更是實現了高速、低溫、低損傷。因為是在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。磁控濺射通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率。

目前的磁控濺射鍍膜儀中，濺射出的靶原子只有小部分能夠沉積到基片上，剩下的都被真空泵抽走，尤其對于相對質量比較小的靶原子來說，更容易被抽走，因此大大制約了鍍膜的效率。

實用新型內容

針對現有技術中存在的上述問題，本實用新型的目的在于提供一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，以實現提高鍍膜的效率。

本實用新型技術方案如下:

一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，包括真空腔室、設置真空腔室頂部的密封蓋、穿設在密封蓋上的升降臺及固定設置在升降臺上的助吸裝置，所述助吸裝置包括吸環、連管及半圓形密封盤，所述吸環上均勻分布吸氣孔，所述連管與吸環相連通，所述半圓形密封盤設置在連管端部位置，所述吸環表面相對位置處設有支撐塊，所述支撐塊上設有緊固螺釘，并通過緊固螺釘與升降臺相連。

所述的一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，所述升降臺外表面設有基準刻度線，所述緊固螺釘沿著基準刻度線移動，并緊壓在基準刻度線位置，從而調節助吸裝置的高度。

所述的一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，所述連管與半圓形密封盤相連的一端的截面采用半圓形，另一端焊接設置在吸環上。

所述的一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，所述半圓形密封盤采用硅膠材料，且半圓形密封盤與真空腔室內壁相貼合。

本實用新型的有益效果是：1）通過在基片上方安裝一個助吸裝置，產生一個額外向上的吸力，增加靶原子沉積在基片上的數量，從而提高鍍膜的效率。2）該裝置設計結構合理，使用方便，應用本裝置為樣品進行磁控濺射鍍膜，使鍍膜效率得到提高，對薄膜的制造領域具有重要的意義。

附圖說明

圖1為本實用新型的安裝示意圖；

圖2為本實用新型的結構示意圖；

圖3為本實用新型的局部結構圖；

圖4為本實用新型的助吸裝置示意圖；

圖中：1-排氣口，2-助吸裝置，3-腔室，4-密封蓋，5-升降臺，6-進氣口，7-靶材，8-支座，9-半圓形密封盤，10-連管，11-吸環，12-基準刻度線，13-基片，14-連接塊，15-緊固螺釘,16-吸氣孔。

具體實施方式

以下結合說明書附圖1-4，對本實用新型的技術方案做進一步的描述：