[實用新型]一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置

有效

• 申請號: 201921859837.6
• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN210657118U
• 公開（公告）日: 2020-06-02
• 發明（設計）人: 馬毅;謝續友;黃先偉;俞越翎;張泰華
• 申請（專利權）人: 浙江工業大學
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35
• 代理公司: 杭州浙科專利事務所(普通合伙) 33213
• 代理人: 吳秉中

1.一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，包括真空腔室（3）、設置真空腔室（3）頂部的密封蓋（4）、穿設在密封蓋（4）上的升降臺（5）及固定設置在升降臺（5）上的助吸裝置（2），所述助吸裝置（2）包括吸環（11）、連管（10）及半圓形密封盤（9），所述吸環（11）上均勻分布吸氣孔（16），所述連管（10）與吸環（11）相連通，所述半圓形密封盤（9）設置在連管（10）端部位置，所述吸環（11）表面相對位置處設有支撐塊（14），所述支撐塊（14）上設有緊固螺釘（15），并通過緊固螺釘（15）與升降臺（5）相連。

2.根據權利要求1所述的一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，所述升降臺（5）外表面設有基準刻度線（12），所述緊固螺釘（15）沿著基準刻度線（12）移動，并緊壓在基準刻度線（12）位置，從而調節助吸裝置（2）的高度。

3.根據權利要求1所述的一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，所述連管（10）與半圓形密封盤（9）相連的一端的截面采用半圓形，另一端焊接設置在吸環（11）上。

4.根據權利要求1所述的一種提升磁控濺射鍍膜沉積速率裝置，其特征在于，所述半圓形密封盤（9）采用硅膠材料，且半圓形密封盤（9）與真空腔室（3）內壁相貼合。