[實用新型]一種像素補償電路

有效

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• 申請日: 2019-10-31
• 公開（公告）號: CN210805180U
• 公開（公告）日: 2020-06-19
• 發(fā)明（設計）人: 盧昭陽;羅敬凱
• 申請（專利權(quán)）人: 福建華佳彩有限公司
• 主分類號: G09G3/3225
• 分類號: G09G3/3225;H01L27/32
• 代理公司: 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219
• 代理人: 林祥翔;郭鵬飛

一種像素補償電路，包括薄膜晶體管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、電容C，所述T1的源極與T3的源極連接，T1的漏極與T5的柵極和T6的柵極連接，所述T3的漏極與T5的源極連接，T5的漏極與T6的源極連接，所述T1的源極還與T2的柵極和T4的漏極連接，所述T4的源極與T2的源極、T7的漏極連接，所述T2的漏極通過電容與T5的源極連接，所述T2的漏極還與T8的漏極和T9的源極連接，T9的漏極還與有機發(fā)光二極管的正極連接；其中T1、T3、T5、T6為多晶硅薄膜晶體管，設置于基板與介質(zhì)層之間，所述T2、T4、T7、T8、T9為氧化物薄膜晶體管，設置于介質(zhì)層上方。上述技術(shù)方案通過使用更小的像素面積達到補償效果，并且能夠最終提高面板的解析度。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及像素補償電路的設計，尤其涉及一種上下分層的新型AMOLED像素補償電路設計。

背景技術(shù)

當今，隨著科技水平的不斷提升，人們對顯示器畫面的要求也在提高，即對高解析度的需求增大，例如VR，AR，MR等顯示器的解析度高達2000PPI以上。對于OLED面板來說，面內(nèi)2T1C Pixel電路會受到Vth漂移的影響導致面板發(fā)光亮度不均勻，需要補償電路提升面板顯示效果，而為了達到更好地補償效果，補償電路會有多個TFT，可能會有4T，5T，6T…，這樣TFT過多會使Pixel所占面積增大，進而導致面板容納的Pixel數(shù)量減少，即解析度變低，無法滿足高解析度的要求。

因此，如何提高OLED面板的解析度，制造一種在補償效果良好基礎上具有超高解析度的OLED面板是一項重要的課題。

發(fā)明內(nèi)容

因此，需要提供一種新的分層式的像素補償電路，達到減小TFT排布面積，提高面板解析度的技術(shù)效果。

為實現(xiàn)上述目的，發(fā)明人提供了一種像素補償電路，包括薄膜晶體管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、電容C，所述T1的源極與T3的源極連接，T1的漏極與T5的柵極和T6的柵極連接，所述T3的漏極與T5的源極連接，T5的漏極與T6的源極連接，所述T1的源極還與T2的柵極和T4的漏極連接，所述T4的源極與T2的源極、T7的漏極連接，所述T2的漏極通過電容與T5的源極連接，所述T2的漏極還與T8的漏極和T9的源極連接，T9的漏極還與有機發(fā)光二極管的正極連接；

其中T1、T3、T5、T6為多晶硅薄膜晶體管，設置于基板與介質(zhì)層之間，所述T2、T4、T7、T8、T9為氧化物薄膜晶體管，設置于介質(zhì)層上方。

具體地，所述電容C設置于介質(zhì)層下方。

具體地，包括穿透介質(zhì)層設置的連接線，T4的柵極與T2之間、T4的漏極與C2之間、有機發(fā)光二極管負極與T3的漏極之間分別用連接線連接。

區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，上述技術(shù)方案通過使用更小的像素面積達到補償效果，并且能夠最終提高面板的解析度。

附圖說明

圖1為具體實施方式所述的異制程AMOLED像素補償電路；

圖2為具體實施方式所述的同制程AMOLED像素補償電路；

圖3為具體實施方式所述像素補償電路圖；

圖4為具體實施方式所述的Reset階段工作狀態(tài)示意圖；

圖5為具體實施方式所述的補償階段工作狀態(tài)示意圖；

圖6為具體實施方式所述的Data寫入階段工作狀態(tài)示意圖；

圖7為具體實施方式所述的發(fā)光階段工作狀態(tài)示意圖；

圖8為具體實施方式所述像素補償電路圖；

圖9為具體實施方式所述的Reset階段工作狀態(tài)示意圖；