[實用新型]一種像素補償電路有效
| 申請號: | 201921855330.3 | 申請日: | 2019-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN210805180U | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發明(設計)人: | 盧昭陽;羅敬凱 | 申請(專利權)人: | 福建華佳彩有限公司 |
| 主分類號: | G09G3/3225 | 分類號: | G09G3/3225;H01L27/32 |
| 代理公司: | 福州市景弘專利代理事務所(普通合伙) 35219 | 代理人: | 林祥翔;郭鵬飛 |
| 地址: | 351100 福*** | 國省代碼: | 福建;35 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 像素 補償 電路 | ||
1.一種像素補償電路,其特征在于,包括薄膜晶體管T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、T9、電容C,所述T1的源極與T3的源極連接,T1的漏極與T5的柵極和T6的柵極連接,所述T3的漏極與T5的源極連接,T5的漏極與T6的源極連接,所述T1的源極還與T2的柵極和T4的漏極連接,所述T4的源極與T2的源極、T7的漏極連接,所述T2的漏極通過電容與T5的源極連接,所述T2的漏極還與T8的漏極和T9的源極連接,T9的漏極還與有機發光二極管的正極連接;
其中T1、T3、T5、T6為多晶硅薄膜晶體管,設置于基板與介質層之間,所述T2、T4、T7、T8、T9為氧化物薄膜晶體管,設置于介質層上方。
2.根據權利要求1所述的像素補償電路,其特征在于,所述電容C設置于介質層下方。
3.根據權利要求1所述的像素補償電路,其特征在于,包括穿透介質層設置的連接線,T4的柵極與T2之間、T4的漏極與C2之間、有機發光二極管負極與T3的漏極之間分別用連接線連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于福建華佳彩有限公司,未經福建華佳彩有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921855330.3/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:一種墊圈裝配抽真空檢測裝置
- 下一篇:分層式AMOLED像素補償電路





