[實用新型]一種槽式硅片加工機臺有效
| 申請號: | 201921840700.6 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN210692495U | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 易書令;馬曉林;潘岳林;姜大俊;潘勵剛;鄭旭然 | 申請(專利權)人: | 鹽城阿特斯陽光能源科技有限公司;阿特斯陽光電力集團有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 胡彬 |
| 地址: | 224000 江蘇省鹽*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 硅片 加工 機臺 | ||
本實用新型公開了一種槽式硅片加工機臺,其包括內槽、外槽、加熱裝置和均液管,內槽被配為盛放硅片花籃,外槽環繞內槽設置,外槽的上端面高于內槽的上端面,外槽上設有出液口,加熱裝置包括加熱殼體和配合在加熱殼體內的加熱件,加熱殼體位于外槽的外側,加熱殼體具有液體進口和液體出口,液體進口與出液口相連,加熱件的外側設有防腐蝕層,均液管設在內槽內,均液管上設有多個均液孔和進液口,進液口與液體出口相連。該槽式硅片加工機臺能夠較好地避免加熱裝置對藥液的污染,并且能夠較好地保證反應槽內的藥液溫度較為均勻。
技術領域
本實用新型涉及光伏設備技術領域,尤其涉及一種槽式硅片加工機臺。
背景技術
目前主流的槽式機臺加熱裝置仍設計為內置加熱,即加熱裝置安裝至槽式機臺底部,在設定溫度下進行通電加熱。由于加熱裝置整個線路安裝至槽體中,經過強酸強堿的高溫腐蝕下,很容易形變、破損、變色,內部金屬泄露極容易造成槽體污染,直接導致硅片電性能偏低、EL出現晶界痕。且加熱裝置影響整個藥液循環,造成批量色差片,給整個制絨工序帶來極大損失。
此外,為了保證槽式機臺內部藥液的溫度較為均勻,加熱裝置通常采用電加熱板,電加熱板通常由很多小電阻絲組成,這樣更容易被藥液腐蝕從而污染藥液。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提出一種槽式硅片加工機臺,該槽式硅片加工機臺能夠較好地避免加熱裝置對藥液的污染,并且能夠較好地保證反應槽內的藥液溫度較為均勻。
為實現上述技術效果,本實用新型實施例的槽式硅片加工機臺的技術方案如下:
一種槽式硅片加工機臺,包括:內槽,所述內槽被配為盛放硅片花籃;外槽,所述外槽環繞所述內槽設置,所述外槽的上端面高于所述內槽的上端面,所述外槽上設有出液口;加熱裝置,所述加熱裝置包括加熱殼體和配合在所述加熱殼體內的加熱件,所述加熱殼體位于所述外槽的外側,所述加熱殼體具有液體進口和液體出口,所述液體進口與所述出液口相連,所述加熱件的外側設有防腐蝕層;均液管,所述均液管設在所述內槽內,所述均液管上設有多個均液孔和進液口,所述進液口與所述液體出口相連。
在一些實施例中,所述槽式硅片加工機臺還包括溫度檢測件,所述溫度檢測件設在所述內槽內,所述溫度檢測件被配置為檢測所述內槽的藥液溫度,所述溫度檢測件與所述加熱件電連接。
在一些實施例中,所述槽式硅片加工機臺還包括輸送泵,所述輸送泵設在所述出液口與所述液體進口之間。
在一些可選的實施例中,所述槽式硅片加工機臺還包括第一液位傳感器,所述第一液位傳感器設在所述外槽上,所述第一液位傳感器被配置為檢測所述外槽內的液面高度,所述第一液位傳感器與所述輸送泵電連接。
在一些具體的實施例中,所述槽式硅片加工機臺還包括第二液位傳感器,所述第二液位傳感器設在所述加熱殼體上,所述第二液位傳感器被配置為檢測所述加熱殼體內的液面高度,所述第二液位傳感器與所述輸送泵電連接。
在一些更具體的實施例中,所述第二液位傳感器位于所述液體出口的上方。
在一些可選的實施例中,所述槽式硅片加工還包括分流管和控制閥,所述分流管的一端連接在輸送泵上,另一端與所述均液管的所述均液孔相連,所述分流管上設有分流閥,所述控制閥設在所述均液管與所述出液口之間。
在一些具體的實施例中,所述槽式硅片加工機臺還包括花籃支架,所述花籃支架設在所述內槽內,所述花籃支架被配置為支撐所述硅片花籃。
在一些更具體的實施例中,所述均液管的兩端配合在所述花籃支架上,所述均液管與所述內槽的底壁間隔設置。
在一些更具體實施例中,多個所述均液孔沿所述均液管的長度方向均勻間隔分布。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





