[實用新型]一種雙晶探頭的焦聚的測量試塊有效
| 申請號： | 201921836814.3 | 申請日： | 2019-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN211669136U | 公開（公告）日： | 2020-10-13 |
| 發明（設計）人： | 陳昌華;張利;張洪;陳慶勇;徐正茂;董政;劉曉磊;哈曜;王姣;陳新華 | 申請（專利權）人： | 南京迪威爾高端制造股份有限公司 |
| 主分類號： | G01N29/30 | 分類號： | G01N29/30 |
| 代理公司： | 南京蘇創專利代理事務所(普通合伙) 32273 | 代理人： | 張學彪 |
| 地址： | 210000 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 雙晶 探頭 測量 | ||
1.一種雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：包括測試結構(1)，所述測試結構(1)的上側與下側在垂直上側的方向上的距離為所述測試結構(1)的測量深度，從所述測試結構(1)一端到另一端所述測試結構(1)的測量深度逐漸增加。
2.根據權利要求1所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述測試結構(1)的兩端均設置有緩沖段。
3.根據權利要求2所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述緩沖段的長度均大于等于10mm。
4.根據權利要求1所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述測試結構(1)上側為平面，下側為斜平面。
5.根據權利要求4所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述測試結構(1)兩側之間的距離為所述測試結構(1)的厚度，所述測試結構(1)的厚度大于等于25mm。
6.根據權利要求1所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述測試結構(1)的上側下方設置有測量深度刻度(3)，所述測量深度刻度(3)與此位置的測量深度的值相對應。
7.根據權利要求6所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述測量深度刻度(3)通過下式得到；
y＝0.2x+3
式中，y為測量深度刻度，x為測量深度刻度的位置距離所述測試結構(1)的一端的距離。
8.根據權利要求1所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：還包括支撐結構(2)，所述支撐結構(2)設置在所述測試結構(1)的一端。
9.根據權利要求1所述的雙晶探頭的焦聚的測量試塊，其特征在于：所述測試結構(1)的另一端的下方設置有平面支撐點。
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