[實用新型]脊型量子阱/量子點有源區的激光器結構

有效

• 申請號: 201921835514.3
• 申請日: 2019-10-29
• 公開（公告）號: CN210838437U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 董海亮;許并社;賈志剛;賈偉;張愛琴;梁建
• 申請（專利權）人: 太原理工大學
• 主分類號: H01S5/02
• 分類號: H01S5/02;H01S5/22;H01S5/34;H01S5/343
• 代理公司: 太原晉科知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 14110
• 代理人: 任林芳

1.一種脊型量子阱/量子點有源區的激光器結構，其特征在于：包括偏角襯底（1）以及在偏角襯底（1）上依次設置的緩沖層（2）、N型摻雜的限制層（3），N型摻雜的波導層（4），脊型波導層（5）、有源層（6）、P型摻雜的波導層（7）、P型摻雜的限制層（8）、頂層（9）和電極接觸層（10），有源層（6）包括從下到上依次設置的脊型下壘層（61）、量子阱層（62）、量子點蓋層（64）和脊型上壘層（65），在量子阱層（62）的表面上設置有多個量子點（63）。

2.根據權利要求1所述的脊型量子阱/量子點有源區的激光器結構，其特征在于：所述偏角襯底（1）所用材料為帶有偏角的GaAs襯底，GaAs襯底中的{100}晶面偏向{011}晶面，{100}晶面與{011}晶面之間的夾角為0～6度。

3.根據權利要求1所述的脊型量子阱/量子點有源區的激光器結構，其特征在于：所述脊型下壘層（61）、所述量子阱層（62）、所述量子點（63）、所述量子點蓋層（64）和所述脊型上壘層（65）形成單個脊型量子阱/量子點層，1～5個脊型量子阱/量子點層層疊形成所述有源層（6）。

4.根據權利要求1所述的脊型量子阱/量子點有源區的激光器結構，其特征在于：所述量子點（63）的為球形或半球，其直徑為1～3nm。