[實用新型]SIP模組和電子設備有效
| 申請號: | 201921831271.6 | 申請日: | 2019-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN210429802U | 公開(公告)日: | 2020-04-28 |
| 發明(設計)人: | 李利 | 申請(專利權)人: | 甬矽電子(寧波)股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L25/07 | 分類號: | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/60 |
| 代理公司: | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人: | 胡蓉 |
| 地址: | 315400 浙江省寧*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | sip 模組 電子設備 | ||
本實用新型實施例提供一種SIP模組和電子設備,SIP模組包括基板、第一半導體芯片、第二半導體芯片及電磁屏蔽網。第一半導體芯片為中部鏤空的環形芯片,且第一半導體芯片中部鏤空區域的尺寸大于第二半導體芯片的尺寸,第一半導體芯片焊接在基板上,第二半導體芯片設置在第一半導體芯片中部鏤空區域且焊接在基板上。電磁屏蔽網設置在第二半導體芯片上,且電磁屏蔽網與第一半導體芯片固定。通過設置在第二半導體上方的電磁屏蔽網對第一半導體芯片及第二半導體芯片進行電磁屏蔽,與填充屏蔽膠的方式相比,由于無需通過激光的方式開槽,本實用新型的電磁屏蔽網的結構更加簡單,且電磁屏蔽效果更好。同時,也能在一定程度上節省購置激光頭的成本。
技術領域
本實用新型涉及半導體領域,具體而言,涉及一種SIP模組和電子設備。
背景技術
SIP(System In a Package,系統級封裝)封裝是將多種功能芯片,包括處理器、存儲器等功能的芯片集成在一個封裝內,達到功能整合的目的。
隨著科學技術的發展,現在的電子設備的尺寸逐漸減小,這導致采用SIP封裝的電路組件與線路的分布密度過高,導致芯片與芯片之間出現電磁干擾現象。
現有技術中,通常是在基板塑封后通過激光在芯片與芯片之間的塑封體上開設一個凹槽,并在凹槽內填充屏蔽膠的方式解決芯片與芯片之間的電磁干擾問題。但基板在塑封后存在一定的翹曲度,采用激光開槽會造成開槽深度不穩定,若開槽深度小于塑封體厚度,使得屏蔽膠無法將芯片完全隔開,導致電磁屏蔽效果差。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種SIP模組和電子設備,采用電磁屏蔽網對不同的芯片進行電磁屏蔽。
本實用新型提供一種技術方案:
第一方面,實施例提供一種SIP模組,所述SIP模組包括基板、第一半導體芯片、第二半導體芯片及電磁屏蔽網;
所述第一半導體芯片為中部鏤空的環形芯片,所述第一半導體芯片中部鏤空區域的尺寸大于所述第二半導體芯片的尺寸;
所述第一半導體芯片焊接在所述基板上,所述第二半導體芯片設置在所述第一半導體芯片中部鏤空區域且焊接在所述基板上;
所述電磁屏蔽網設置在所述第二半導體芯片上,且所述電磁屏蔽網與所述第一半導體芯片固定。
在可選的實施方式中,所述第一半導體芯片為中部鏤空的六邊形,且所述第一半導體芯片的中部鏤空的區域為六邊形。
在可選的實施方式中,所述第一半導體芯片包括內環及外環,所述第一半導體芯片的外環的厚度大于所述第一半導體芯片的內環的厚度,所述第一半導體芯片的外環與內環形成臺階;
所述第二半導體芯片的厚度小于所述第一半導體芯片的外環的厚度。
在可選的實施方式中,所述第一半導體芯片通過導線焊接在所述基板上,所述導線的兩端分別與所述第一半導體芯片的外環及所述基板焊接;
所述第二半導體芯片倒裝焊接在所述基板上。
在可選的實施方式中,所述電磁屏蔽網包括多根導線,所述導線的兩端焊接在所述第一半導體芯片的內環且所述多根導線呈網狀覆蓋于所述第二半導體芯片上方形成電磁屏蔽層。
在可選的實施方式中,所述電磁屏蔽網的高度低于所述第一半導體芯片的外環的高度。
在可選的實施方式中,所述第一半導體芯片及所述第二半導體芯片上還覆蓋有樹脂材料,用于固定所述第一半導體芯片或所述第二芯片的各個引腳上設置的導線。
在可選的實施方式中,所述樹脂材料上還設置有用于屏蔽電磁信號的金屬膜。
在可選的實施方式中,所述第一半導體芯片及所述第二半導體芯片與所述基板之間還設置有用于導電的銀漿層。
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