[實用新型]SIP模組和電子設備有效
| 申請號： | 201921831271.6 | 申請日： | 2019-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN210429802U | 公開（公告）日： | 2020-04-28 |
| 發明（設計）人： | 李利 | 申請（專利權）人： | 甬矽電子(寧波)股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L25/07 | 分類號： | H01L25/07;H01L23/31;H01L23/60 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇專利代理事務所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 胡蓉 |
| 地址： | 315400 浙江省寧*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sip 模組 電子設備 | ||
1.一種SIP模組，其特征在于，所述SIP模組包括基板、第一半導體芯片、第二半導體芯片及電磁屏蔽網；
所述第一半導體芯片為中部鏤空的環形芯片，所述第一半導體芯片中部鏤空區域的尺寸大于所述第二半導體芯片的尺寸；
所述第一半導體芯片焊接在所述基板上，所述第二半導體芯片設置在所述第一半導體芯片中部鏤空區域且焊接在所述基板上；
所述電磁屏蔽網設置在所述第二半導體芯片上，且所述電磁屏蔽網與所述第一半導體芯片固定。
2.根據權利要求1所述的SIP模組，其特征在于，所述第一半導體芯片為中部鏤空的六邊形，且所述第一半導體芯片的中部鏤空的區域為六邊形。
3.根據權利要求2所述的SIP模組，其特征在于，所述第一半導體芯片包括內環及外環，所述第一半導體芯片的外環的厚度大于所述第一半導體芯片的內環的厚度，所述第一半導體芯片的外環與內環形成臺階；
所述第二半導體芯片的厚度小于所述第一半導體芯片的外環的厚度。
4.根據權利要求3所述的SIP模組，其特征在于，所述第一半導體芯片通過導線焊接在所述基板上，所述導線的兩端分別與所述第一半導體芯片的外環及所述基板焊接；
所述第二半導體芯片倒裝焊接在所述基板上。
5.根據權利要求4所述的SIP模組，其特征在于，所述電磁屏蔽網包括多根導線，所述導線的兩端焊接在所述第一半導體芯片的內環且所述多根導線呈網狀覆蓋于所述第二半導體芯片上方形成電磁屏蔽層。
6.根據權利要求5所述的SIP模組，其特征在于，所述電磁屏蔽網的高度低于所述第一半導體芯片的外環的高度。
7.根據權利要求1-6任意一項所述的SIP模組，其特征在于，所述第一半導體芯片及所述第二半導體芯片上還覆蓋有樹脂材料，用于固定所述第一半導體芯片上焊接的導線。
8.根據權利要求7所述的SIP模組，其特征在于，所述樹脂材料上還設置有用于屏蔽電磁信號的金屬膜。
9.根據權利要求8所述的SIP模組，其特征在于，所述第一半導體芯片及所述第二半導體芯片與所述基板之間還設置有用于導電的銀漿層。
10.一種電子設備，其特征在于，所述電子設備包括外殼及權利要求1-9任意一項所述的SIP模組，所述SIP模組設置在所述外殼的內部。
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