[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體對(duì)位結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921830816.1
• 申請(qǐng)日: 2019-10-29
• 公開（公告）號(hào): CN210272345U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 曾依蕾;曾翔;蔡洋洋;楊忠憲
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 福建省晉華集成電路有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/544
• 分類號(hào): H01L23/544
• 代理公司: 北京集佳知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 潘穎

本實(shí)用新型公開了一種半導(dǎo)體對(duì)位結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體基板，包括：襯底結(jié)構(gòu)；位于襯底結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)面上的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，及圍繞對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圍繞結(jié)構(gòu)；對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在平行生長(zhǎng)面的截面圖案的至少一邊，與同一平面上對(duì)位坐標(biāo)軸的x軸和y軸均有傾斜角。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在平行生長(zhǎng)面的截面圖案的至少一邊，與同一平面上對(duì)位坐標(biāo)軸的x軸和y軸均有傾斜角，進(jìn)而通過單個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記即能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)準(zhǔn)精度的調(diào)整，在保證對(duì)準(zhǔn)精度較高的同時(shí)，能夠減少對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的數(shù)量，降低半導(dǎo)體對(duì)位結(jié)構(gòu)的占用面積，提高半導(dǎo)體基板的有效布線面積。對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具有上述特殊的截面圖案，使得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記具有特殊形狀的標(biāo)記形貌，在半導(dǎo)體基板制程中便于對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的獲取，提高了半導(dǎo)體基板的制作效率。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，更為具體地說，涉及一種半導(dǎo)體基板。

背景技術(shù)

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，集成電路向著高集成度的方向發(fā)展。進(jìn)而使得在半導(dǎo)體元件制造過程中，通常需要多次光刻工藝才能完成整個(gè)制造過程。這就對(duì)套刻精度要求越來越高，套刻精度直接影響集成電路產(chǎn)品的成品率。并且，現(xiàn)今在半導(dǎo)體元件的制造過程中，隨著元件日趨微小，掩膜板也隨之變小，為了使掩膜板的圖案能精確的轉(zhuǎn)移到基片上，通常需要在基片上形成數(shù)個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記以供掩膜板對(duì)準(zhǔn)，從而使得掩膜板的圖案能精確地復(fù)制到基片上的所需位置。但是，為了提高套刻精度而使得現(xiàn)有基片上設(shè)置的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記數(shù)量過多，使得基片上對(duì)位區(qū)所占面積較大，降低了基片的有效布線面積。

實(shí)用新型內(nèi)容

有鑒于此，本實(shí)用新型提供了一種半導(dǎo)體對(duì)位結(jié)構(gòu)及半導(dǎo)體基板，有效解決現(xiàn)有技術(shù)存在的技術(shù)問題，能夠降低半導(dǎo)體基板的對(duì)位結(jié)構(gòu)的占用面積，提高半導(dǎo)體基板的有效布線面積。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案如下：

一種半導(dǎo)體對(duì)位結(jié)構(gòu)，包括：

襯底結(jié)構(gòu)；

位于所述襯底結(jié)構(gòu)的生長(zhǎng)面上的至少一個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，及圍繞所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的圍繞結(jié)構(gòu)；其中，所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在平行所述生長(zhǎng)面的截面圖案的至少一邊，與同一平面上對(duì)位坐標(biāo)軸的x軸和y軸均有傾斜角。

可選的，在沿相鄰兩個(gè)定義為第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的排列方向上，所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的寬度，與所述第一對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記和所述第二對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間對(duì)應(yīng)所述圍繞結(jié)構(gòu)處的寬度不同。

可選的，所述圍繞結(jié)構(gòu)為導(dǎo)電材料。

可選的，所述圍繞結(jié)構(gòu)為圍繞所有所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的一體化結(jié)構(gòu)。

可選的，所述圍繞結(jié)構(gòu)包括相互獨(dú)立的至少一個(gè)圍繞子結(jié)構(gòu)，所述圍繞子結(jié)構(gòu)圍繞所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，且所述圍繞子結(jié)構(gòu)與所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記一一對(duì)應(yīng)。

可選的，至少一對(duì)相鄰所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的間距，與其余任意相鄰所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記之間的間距不同。

可選的，所有所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的在平行所述生長(zhǎng)面的截面圖案相同。

可選的，所有所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸相同。

可選的，至少一個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸與其余所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸不同。

可選的，不同尺寸的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的相同邊的邊長(zhǎng)均不相同。

可選的，位于邊緣區(qū)域處的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸與位于中間區(qū)域處的所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的尺寸不同。

可選的，至少一個(gè)所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在平行所述生長(zhǎng)面的截面圖案，與其余所述對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記在平行所述生長(zhǎng)面的截面圖案不同。

相應(yīng)的，本實(shí)用新型還提供了一種半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板包括上述的半導(dǎo)體對(duì)位結(jié)構(gòu)。

相較于現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型提供的技術(shù)方案至少具有以下優(yōu)點(diǎn)：