[實用新型]一種半導體對位結構及半導體基板有效
| 申請號： | 201921830816.1 | 申請日： | 2019-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN210272345U | 公開（公告）日： | 2020-04-07 |
| 發明（設計）人： | 曾依蕾;曾翔;蔡洋洋;楊忠憲 | 申請（專利權）人： | 福建省晉華集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/544 | 分類號： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人： | 潘穎 |
| 地址： | 362200 福建省泉州*** | 國省代碼： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 對位 結構 | ||
1.一種半導體對位結構，其特征在于，包括：
襯底結構；
位于所述襯底結構的生長面上的至少一個對準標記，及圍繞所述對準標記的圍繞結構；其中，所述對準標記在平行所述生長面的截面圖案的至少一邊，與同一平面上對位坐標軸的x軸和y軸均有傾斜角。
2.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，在沿相鄰兩個定義為第一對準標記和第二對準標記的對準標記的排列方向上，所述第一對準標記和所述第二對準標記的寬度，與所述第一對準標記和所述第二對準標記之間對應所述圍繞結構處的寬度不同。
3.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，所述圍繞結構為導電材料。
4.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，所述圍繞結構為圍繞所有所述對準標記的一體化結構。
5.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，所述圍繞結構包括相互獨立的至少一個圍繞子結構，所述圍繞子結構圍繞所述對準標記，且所述圍繞子結構與所述對準標記一一對應。
6.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，至少一對相鄰所述對準標記之間的間距，與其余任意相鄰所述對準標記之間的間距不同。
7.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，所有所述對準標記的在平行所述生長面的截面圖案相同。
8.根據權利要求7所述的半導體對位結構，其特征在于，所有所述對準標記的尺寸相同。
9.根據權利要求7所述的半導體對位結構，其特征在于，至少一個所述對準標記的尺寸與其余所述對準標記的尺寸不同。
10.根據權利要求9所述的半導體對位結構，其特征在于，不同尺寸的對準標記的相同邊的邊長均不相同。
11.根據權利要求9所述的半導體對位結構，其特征在于，位于邊緣區域處的所述對準標記的尺寸與位于中間區域處的所述對準標記的尺寸不同。
12.根據權利要求1所述的半導體對位結構，其特征在于，至少一個所述對準標記在平行所述生長面的截面圖案，與其余所述對準標記在平行所述生長面的截面圖案不同。
13.一種半導體基板，其特征在于，所述半導體基板包括權利要求1-12任意一項所述的半導體對位結構。
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