[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921824262.4
• 申請日: 2019-10-28
• 公開（公告）號(hào): CN210349792U
• 公開（公告）日: 2020-04-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬景鵬
• 申請（專利權(quán)）人: 連云港光鼎電子有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/67
• 分類號(hào): H01L21/67;H01L33/00
• 代理公司: 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 32223
• 代理人: 馬海清

本實(shí)用新型公開了一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置，包括機(jī)架，所述機(jī)架上設(shè)有擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)上方的壓膜結(jié)構(gòu)，所述擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)一側(cè)設(shè)有第一離子風(fēng)扇，所述擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)包括上壓板、下壓板以及設(shè)置在下壓板下方的置物腔，所述上壓板和下壓板一側(cè)鉸接，上壓板和下壓板另一側(cè)通過鎖緊裝置活動(dòng)連接，所述上壓板上設(shè)有用于鎖緊裝置的壓頭放置的凹槽，所述凹槽一側(cè)的上壓板上設(shè)有磁鐵片。該種擴(kuò)晶的裝置在使用過程中結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)合理，利用現(xiàn)有結(jié)構(gòu)資源，將其功能最大化，同時(shí)能夠消除操作過程中的靜電，保證擴(kuò)晶效果。

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種擴(kuò)晶機(jī)，特別涉及一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置。

背景技術(shù)

在LED燈的生產(chǎn)過程中，LED晶片的檢測和分選是一道非常重要的工序。為了易于對LED晶片進(jìn)行檢測和分選，必須擴(kuò)大晶片膜上原有LED晶片之間的距離，也就是通過擴(kuò)晶機(jī)對晶片膜進(jìn)行擴(kuò)晶操作。

擴(kuò)晶機(jī)是將排列緊密的LED晶片均勻分開，使之更好地植入焊接工件上，它利用LED薄膜的加熱可塑性，采用氣缸上下控制，將單張LED晶片均勻地向四周擴(kuò)散，達(dá)到滿意的晶片間隙后自動(dòng)成型，膜片緊繃不變形，是LED封裝設(shè)備之一。

目前，市面上常見的擴(kuò)晶機(jī)存在以下幾個(gè)問題：一、在擴(kuò)晶的過程中由于需要經(jīng)常分離上壓板和下壓板，而上壓板和下壓板一般采用鉸接的方式，多次分離上壓板沒有支撐，所有的力集中在鉸接部導(dǎo)致上下壓板之間鉸接件易損壞；二、傳統(tǒng)的加熱方式是采用壓膜結(jié)構(gòu)加熱，導(dǎo)致擴(kuò)晶膜受熱不均，從而使得擴(kuò)晶效果不好；三、鎖緊裝置直接與不銹鋼上壓板上表面接觸，多次壓合之后會(huì)損壞上壓板表面，還會(huì)導(dǎo)致壓不緊，影響擴(kuò)晶效果；四、就是在擴(kuò)晶操作過程中，難免會(huì)出現(xiàn)靜電，靜電會(huì)導(dǎo)致擴(kuò)晶不均勻，最終影響擴(kuò)晶效果。為此，我們提出一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的主要目的在于提供一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置，可以有效解決背景技術(shù)中的問題。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采取的技術(shù)方案為：

一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置，包括機(jī)架，所述機(jī)架上設(shè)有擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)上方的壓膜結(jié)構(gòu)，所述擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)一側(cè)設(shè)有第一離子風(fēng)扇，所述擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)包括上壓板、下壓板以及設(shè)置在下壓板下方的置物腔，所述上壓板和下壓板一側(cè)鉸接，上壓板和下壓板另一側(cè)通過鎖緊裝置活動(dòng)連接，所述上壓板上設(shè)有用于鎖緊裝置的壓頭放置的凹槽，所述凹槽一側(cè)的上壓板上設(shè)有磁鐵片；

所述上壓板和下壓板上開設(shè)有尺寸大小一致的容置腔，所述下壓板底部通過立柱一與置物腔連接，所述置物腔內(nèi)設(shè)有氣缸一，所述氣缸一的活塞桿端部穿過置物腔連接設(shè)置在容置腔內(nèi)的擴(kuò)晶盤，所述擴(kuò)晶盤內(nèi)設(shè)有加熱管線，所述擴(kuò)晶盤可在氣缸一作用下上下運(yùn)動(dòng)貫穿容置腔；

所述壓膜結(jié)構(gòu)包括設(shè)在置物腔上端的立柱二、立柱三以及固定在立柱二和立柱三之間的支撐板，所述立柱二設(shè)在上壓板與下壓板鉸接的那一側(cè)，且磁鐵片隨著上壓板轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)磁鐵片對準(zhǔn)立柱二，所述立柱三設(shè)置在鎖緊裝置的一側(cè)且立柱三上設(shè)有標(biāo)尺，所述支撐板上設(shè)有氣缸二，所述氣缸二的活塞桿端部穿過支撐板固定連接壓板，所述壓板尺寸略大于擴(kuò)晶盤尺寸；

所述機(jī)架上還設(shè)有立板，所述立板上設(shè)有第二離子風(fēng)扇。

進(jìn)一步地，所述鎖緊裝置為垂直式夾鉗。

進(jìn)一步地，所述凹槽內(nèi)設(shè)有橡膠墊。

進(jìn)一步地，所述上壓板側(cè)壁上固定設(shè)有拉桿。

進(jìn)一步地，所述拉桿、擴(kuò)晶盤、上壓板和下壓板均為不銹鋼制成。

進(jìn)一步地，所述上壓板和下壓板呈方形設(shè)置，立柱一設(shè)置有四根，分別與下壓板下表面的四個(gè)對角處固定連接。

進(jìn)一步地，還包括套環(huán)，所述套環(huán)的內(nèi)徑等于擴(kuò)晶盤外徑。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下有益效果：