[實(shí)用新型]一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921824262.4 | 申請(qǐng)日: | 2019-10-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210349792U | 公開(公告)日: | 2020-04-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 馬景鵬 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 連云港光鼎電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/67 | 分類號(hào): | H01L21/67;H01L33/00 |
| 代理公司: | 淮安市科文知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 32223 | 代理人: | 馬海清 |
| 地址: | 222506 江蘇省*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 應(yīng)用于 led 晶片 裝置 | ||
1.一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:包括機(jī)架(1),所述機(jī)架(1)上設(shè)有擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)以及設(shè)置在擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)上方的壓膜結(jié)構(gòu),所述擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)一側(cè)設(shè)有第一離子風(fēng)扇(2),所述擴(kuò)晶結(jié)構(gòu)包括上壓板(3)、下壓板(4)以及設(shè)置在下壓板(4)下方的置物腔(5),所述上壓板(3)和下壓板(4)一側(cè)鉸接,上壓板(3)和下壓板(4)另一側(cè)通過(guò)鎖緊裝置(6)活動(dòng)連接,所述上壓板(3)上設(shè)有用于鎖緊裝置(6)的壓頭(601)放置的凹槽(602),所述凹槽(602)一側(cè)的上壓板(3)上設(shè)有磁鐵片(7);
所述上壓板(3)和下壓板(4)上開設(shè)有尺寸大小一致的容置腔(8),所述下壓板(4)底部通過(guò)立柱一(9)與置物腔(5)連接,所述置物腔(5)內(nèi)設(shè)有氣缸一(10),所述氣缸一(10)的活塞桿端部穿過(guò)置物腔(5)連接設(shè)置在容置腔(8)內(nèi)的擴(kuò)晶盤(11),所述擴(kuò)晶盤(11)內(nèi)設(shè)有加熱管線(12),所述擴(kuò)晶盤(11)可在氣缸一(10)作用下上下運(yùn)動(dòng)貫穿容置腔(8);
所述壓膜結(jié)構(gòu)包括設(shè)在置物腔(5)上端的立柱二(13)、立柱三(14)以及固定在立柱二(13)和立柱三(14)之間的支撐板(15),所述立柱二(13)設(shè)在上壓板(3)與下壓板(4)鉸接的那一側(cè),且磁鐵片(7)隨著上壓板(3)轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)磁鐵片(7)對(duì)準(zhǔn)立柱二(13),所述立柱三(14)設(shè)置在鎖緊裝置(6)的一側(cè)且立柱三(14)上設(shè)有標(biāo)尺(16),所述支撐板(15)上設(shè)有氣缸二(17),所述氣缸二(17)的活塞桿端部穿過(guò)支撐板(15)固定連接壓板(18),所述壓板(18)尺寸略大于擴(kuò)晶盤(11)尺寸;
所述機(jī)架(1)上還設(shè)有立板(19),所述立板(19)上設(shè)有第二離子風(fēng)扇(20)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:所述鎖緊裝置(6)為垂直式夾鉗。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:所述凹槽(602)內(nèi)設(shè)有橡膠墊 。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:所述上壓板(3)側(cè)壁上固定設(shè)有拉桿(21)。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:所述拉桿(21)、擴(kuò)晶盤(11)、上壓板(3)和下壓板(4)均為不銹鋼制成。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:所述上壓板(3)和下壓板(4)呈方形設(shè)置,立柱一(9)設(shè)置有四根,分別與下壓板(4)下表面的四個(gè)對(duì)角處固定連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種應(yīng)用于LED晶片擴(kuò)晶的裝置,其特征在于:還包括套環(huán)(22),所述套環(huán)(22)的內(nèi)徑等于擴(kuò)晶盤(11)外徑。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





