[實用新型]一種便于散熱的功率MOS模塊結構

有效

• 申請號: 201921815911.4
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN210325791U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 周文定
• 申請（專利權）人: 成都賽力康電氣有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/34;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/29
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 許志輝

本實用新型公開了一種便于散熱的功率MOS模塊結構。包括DBC板，所述DBC板包括DBC陶瓷板，以及覆在DBC陶瓷板上下兩面的上層銅箔和下層銅箔，所述DBC板的上層銅箔設置有功率MOS模塊，所述功率MOS模塊集成了多個MOS管，所述MOS管采用貼片工藝焊接在DBC板的上層銅箔上；所述上層銅箔上還設置有熱敏電阻，并且在DBC板的一側還引出有與熱敏電阻連接兩個引線端子；所述DBC陶瓷板、上層銅箔以及功率MOS模塊均通過環氧樹脂塑封料封有封裝外殼，所述引線端子延伸出封裝外殼用于連接外部電路。本實用新型散熱效果好，保護MOS管不被燒壞。

技術領域

本實用新型涉及功率模塊領域，特別是一種便于散熱的功率MOS模塊結構。

背景技術

隨著電子電力技術的發展，MOS管以其高頻性能好、開關損耗小、輸出阻抗高、驅動功率小等優點被越來越廣泛的應用。功率MOS模塊是MOS管按一定的功能組合再灌封成一個模塊，其功率MOS模塊使用時候通常需要配合其他外部器件進行使用。功率MOS模塊被廣泛應用于各種開關電源、控制器等相關設備，屬于大功率電力電子系統的重要組成部分，但是功率MOS模塊工作所產生的熱量也較大，如MOS管芯片的熱量不及時散出，會嚴重影響功率MOS模塊的工作性能，并且由于MOS管并聯布線問題，線路間干擾性大，散熱不良，導致整個應用系統結構復雜，可靠性低，無法輸出較大的功率，影響器件正常工作。

發明內容

本實用新型的目的在于：提出一種便于散熱的功率MOS模塊結構，解決了功率MOS模塊散熱的問題。

本實用新型采用的技術方案如下：

本實用新型公開了一種便于散熱的功率MOS模塊結構，包括DBC板，所述DBC板包括DBC陶瓷板，以及覆在DBC陶瓷板上下兩面的上層銅箔和下層銅箔，所述DBC板的上層銅箔設置有功率MOS模塊，所述功率MOS模塊集成了多個MOS管，所述MOS管采用貼片工藝焊接在DBC板的上層銅箔上；所述上層銅箔上還設置有熱敏電阻，并且在DBC板的一側還引出有與熱敏電阻連接兩個引線端子；所述DBC陶瓷板、上層銅箔以及功率MOS模塊均通過環氧樹脂塑封料封有封裝外殼，所述引線端子延伸出封裝外殼用于連接外部電路。

在本實用新型中，DBC板的上層銅箔設置有功率MOS模塊，功率MOS模塊的多個MOS管通過貼片工藝焊接在上層銅箔上，可以減小功率MOS模塊的制作體積，能夠滿足大電流通過的要求，輸出更大的功率，還能夠減短電流的通路長度，減小發熱，避免MOS管燒壞；功率MOS模塊工作產生的熱量可通過上層銅箔經DBC陶瓷板傳遞到下層銅箔，下層銅箔外接散熱裝置，對功率MOS模塊散熱，本實用新型的DBC板上的熱敏電阻通過引線端子外接電路，對DBC板上的功率MOS模塊進行溫度監控，以便調節外部散熱裝置的散熱強度。本實用新型除下層銅箔裸露在外，其功率MOS模塊以及DBC陶瓷板均通過環氧樹脂塑封料封裝，其導熱性能好，便于散熱，不易形變，防潮，抗腐蝕性強，相比常規使用硅凝膠密封的場合，在可靠性和壽命方面都會大大的提升，保證內部元器件及連接線等的良好，可用于大功率電器的功率MOS模塊。

進一步的，所述DBC板上對立的兩側均設置有大端子和小端子，所述大端子和小端子焊接在上層銅箔上并延伸出封裝外殼，所述MOS管通過小端子與外部驅動板電路電連接，所述大端子通過螺釘外接大電流回路。MOS管的源極輸出端的大端子外接大電流輸出回路，MOS管通過小端子與外部驅動板控制電路連接，大電流與小電流路徑分路，減小了DBC板的整體發熱問題，有效的降低應用過程中大電流回路和小電流回路之間的干擾，降低電壓和電流的尖峰即dv/dt和di/dt。

進一步的，所述MOS管至少為4個。使得功率MOS模塊具有更高的集成度，更高的可靠性，適用于更大的功率器件。

進一步的，所述封裝外殼上設置有用于安裝定位其他外接設備壓條槽，所述壓條槽設置在封裝外殼的中部且平行于大端子和小端子所在封裝外殼的側邊。