[實用新型]一種便于散熱的功率MOS模塊結構

有效

• 申請號: 201921815911.4
• 申請日: 2019-10-25
• 公開（公告）號: CN210325791U
• 公開（公告）日: 2020-04-14
• 發明（設計）人: 周文定
• 申請（專利權）人: 成都賽力康電氣有限公司
• 主分類號: H01L25/07
• 分類號: H01L25/07;H01L23/34;H01L23/367;H01L23/373;H01L23/29
• 代理公司: 成都弘毅天承知識產權代理有限公司 51230
• 代理人: 許志輝

1.一種便于散熱的功率MOS模塊結構，包括DBC板(1)，所述DBC板(1)包括DBC陶瓷板(12)，以及覆在DBC陶瓷板(12)上下兩面的上層銅箔(11)和下層銅箔(13)，其特征在于：所述DBC板(1)的上層銅箔(11)設置有功率MOS模塊，所述功率MOS模塊集成了多個MOS管(2)，所述MOS管(2)采用貼片工藝焊接在DBC板(1)的上層銅箔(11)上；所述上層銅箔(11)上還設置有熱敏電阻(3)，并且在DBC板(1)的一側還引出有與熱敏電阻(3)連接兩個引線端子(4)；所述DBC陶瓷板(12)、上層銅箔(11)以及功率MOS模塊均通過環氧樹脂塑封料封有封裝外殼(5)，所述引線端子(4)延伸出封裝外殼用于連接外部電路。

2.根據權利要求1所述的一種便于散熱的功率MOS模塊結構，其特征在于：所述DBC板(1)上對立的兩側均設置有大端子(6)和小端子(7)，所述大端子(6)和小端子(7)焊接在上層銅箔(11)上并延伸出封裝外殼(5)，所述MOS管(2)通過小端子(7)與外部驅動板電路電連接，所述大端子(6)通過螺釘外接大電流回路。

3.根據權利要求1所述的一種便于散熱的功率MOS模塊結構，其特征在于：所述MOS管(2)至少為4個。

4.根據權利要求1所述的一種便于散熱的功率MOS模塊結構，其特征在于：所述封裝外殼(5)上設置有用于安裝定位其他外接設備壓條槽(51)，所述壓條槽(51)設置在封裝外殼(5)的中部且平行于大端子(6)和小端子(7)所在封裝外殼(5)的側邊。

5.根據權利要求1所述的一種便于散熱的功率MOS模塊結構，其特征在于：所述DBC板(1)采用氮化鋁陶瓷板。