[實用新型]LED芯片有效

申請號：	201921808596.2	申請日：	2019-10-25
公開（公告）號：	CN210723080U	公開（公告）日：	2020-06-09
發明（設計）人：	吳珊;趙進超;李超	申請（專利權）人：	杭州士蘭明芯科技有限公司
主分類號：	H01L33/20	分類號：	H01L33/20;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00
代理公司：	北京成創同維知識產權代理有限公司 11449	代理人：	岳丹丹
地址：	310018 浙江省杭州市杭州經***	國省代碼：	浙江;33
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摘要：
搜索關鍵詞：	led 芯片
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【說明書】：

本申請公開了一種LED芯片，包括：外延層，位于襯底上；第一電極和第二電極，位于所述外延層上；其中，所述外延層包括第一區域和第二區域，所述第一區域具有凸臺結構；第一電極形成在所述第一區域上，具有與所述第一區域相互配合的凸臺結構；第二電極形成在所述第二區域上。本申請公開的所述LED芯片具有的立體狀形貌的電極相對平面型電極，提高了電極結構強度，保證封裝焊線質量的穩定，降低在封裝焊線作業時電極金屬膜層移位、剝離等的風險。

技術領域

本實用新型涉及半導體發光相關領域，具體地，涉及一種LED芯片。

背景技術

發光二極管(Light-Emitting Diode，LED)是一種能發光的半導體電子元件。這種電子元件早在1962年出現，早期只能發出低亮度的紅光，之后發展出其他單色光的版本，發展至今，其能發出的光已遍及可見光、紅外線及紫外線，亮度也提高到相當的亮度。而用途也不再是初時作為指示燈、顯示板等，已在各種照明和裝飾領域得到廣泛應用，且逐漸走向智能化和多樣化發展。

近年來，氮化物半導體LED芯片發光效率提高很快，以藍光LED作為激發源的白光LED單燈光源效率已達140流明/瓦以上，這遠遠超出了白熾燈和節能燈的光效。隨著LED芯片制造技術的不斷發展和產業市場化的需要，對LED器件的發光效率及性能品質也有了更加嚴格的要求。其中芯片電極的綜合性能改善具有至關重要的作用，因此需要設計人員不斷的改進LED芯片的電極結構以應對各種應用需求。目前主流的LED芯片N電極為平面結構、在封裝焊線過程相對P電極發生電極金屬膜層移位，剝離等異常的風險高，影響產品品質穩定，市場需求有可焊性更好的芯片電極結構。

實用新型內容

鑒于上述內容，本實用新型的目的在于提供一種LED芯片，避免封裝焊線過程中N電極發生金屬膜層移位、剝離等異常的風險。

本實用新型提供了一種LED芯片，包括：外延層，位于襯底上；第一電極和第二電極，位于所述外延層上；其中，所述外延層包括第一區域和第二區域，所述第一區域呈凸臺結構；第一電極形成在所述第一區域上，具有與所述第一區域相互配合的凸臺結構；第二電極形成在所述第二區域上。

優選地，所述凸臺結構為立體幾何狀。

優選地，所述立體幾何狀為圓柱、環狀圓形凸臺、棱柱、棱臺、環狀方形凸臺中的至少一種。

優選地，所述第一電極和所述第二電極極性相反，所述第一電極為N型電極，所述第二電極包括P型電極。

優選地，所述外延層包括從下到上依次形成的第一半導體層、量子阱發光層和第二半導體層。

優選地，所述第一半導體層和所述第二半導體層摻雜類型不同，所述第一半導體層為N型GaN，所述第二半導體層為P型GaN。

優選地，還包括：ITO層，位于所述外延層的第二區域，其中，所述ITO層部分位于所述第二電極和所述第二半導體層之間。

優選地，還包括：鈍化層，覆蓋于所述外延層、所述ITO層以及部分第一電極和第二電極上，其中，所述鈍化層覆蓋所述第一和第二電極的外邊緣1-3um。

優選地，所述鈍化層材料為氧化硅、氮化硅、氮氧硅、聚酰亞胺中的至少一種。

優選地，所述襯底為藍寶石圖形化襯底。