[實用新型]LED芯片有效
| 申請號： | 201921808596.2 | 申請日： | 2019-10-25 |
| 公開（公告）號： | CN210723080U | 公開（公告）日： | 2020-06-09 |
| 發明（設計）人： | 吳珊;趙進超;李超 | 申請（專利權）人： | 杭州士蘭明芯科技有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/20 | 分類號： | H01L33/20;H01L33/38;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京成創同維知識產權代理有限公司 11449 | 代理人： | 岳丹丹 |
| 地址： | 310018 浙江省杭州市杭州經*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 芯片 | ||
1.一種LED芯片，包括：
外延層，位于襯底上；
第一電極和第二電極，位于所述外延層上；
其特征在于，所述外延層包括第一區域和第二區域，所述第一區域具有凸臺結構；
第一電極形成在所述第一區域上，具有與所述第一區域相互配合的凸臺結構；
第二電極形成在所述第二區域上。
2.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述凸臺結構為立體幾何狀。
3.根據權利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述立體幾何狀為圓柱、環狀圓形凸臺、棱柱、棱臺、環狀方形凸臺中的至少一種。
4.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一電極為N型電極，所述第二電極為P型電極。
5.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第二電極的上表面高于第一電極的上表面。
6.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述外延層包括從下到上依次形成的第一半導體層、量子阱發光層和第二半導體層。
7.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半導體層和所述第二半導體層摻雜類型不同，所述第一半導體層為N型GaN，所述第二半導體層為P型GaN。
8.根據權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，還包括：
ITO層，位于所述外延層的第二區域，其中，所述ITO層部分位于所述第二電極和所述第二半導體層之間。
9.根據權利要求8所述的LED芯片，其特征在于，還包括：
鈍化層，覆蓋于所述外延層、所述ITO層、以及部分第一電極和第二電極上，其中
所述鈍化層覆蓋所述第一和第二電極的外邊緣1-3um。
10.根據權利要求9所述的LED芯片，其特征在于，所述鈍化層材料為氧化硅、氮化硅、氮氧硅、聚酰亞胺中的至少一種。
11.根據權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述襯底為藍寶石圖形化襯底。
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