[實用新型]一種半導體終端結構及半導體結構有效

申請號：	201921806520.6	申請日：	2019-10-24
公開（公告）號：	CN210866185U	公開（公告）日：	2020-06-26
發明（設計）人：	劉勇強;張祎龍;曾丹;史波	申請（專利權）人：	珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司
主分類號：	H01L29/739	分類號：	H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06
代理公司：	北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662	代理人：	邵淑雙
地址：	519070***	國省代碼：	廣東;44
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摘要：
搜索關鍵詞：	一種半導體終端結構
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【說明書】：

本實用新型提供了一種半導體終端結構及半導體結構，涉及半導體技術領域。半導體終端結構包括襯底層以及設置于所述襯底層上的外延層；所述外延層上形成有多個結終端拓展結構，所述結終端拓展結構向所述襯底層的方向延伸，且多個所述結終端拓展結構延伸的距離沿預設方向遞減。本申請中設置于外延層上的多個結終端拓展結構延伸的距離沿預設方向遞減，延伸的距離與所具有的離子濃度相關聯，得到的各結終端拓展結構的濃度遞減，因此形成不同的濃度梯度遞進變化的結終端拓展結構，濃度梯度的漸變效果好。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術領域，具體而言，涉及一種半導體終端結構及半導體結構。

背景技術

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種將MOSFET(金屬氧化物場效應管)與BJT(雙極型晶體管)相結合的半導體功率器件，具有輸入阻抗高、開關損耗小、速度快、電壓驅動功率小等特點。IGBT終端通常使用場限環技術來提高IGBT的耐高壓性能，目前常用的場限環技術是通過在功率半導體終端引入一個或者多個與硅襯底摻雜類型相反但濃度遠高于襯底的環形區域，來實現提高擊穿電壓；但上述方式存在濃度梯度漸變效果差的問題。

實用新型內容

本實用新型的主要目的在于，提供一種濃度梯度漸變效果好的半導體終端結構及半導體結構。

第一方面，本實用新型實施例提供了一種半導體終端結構，包括襯底層以及設置于所述襯底層上的外延層；

所述外延層上形成有多個結終端拓展結構，所述結終端拓展結構向所述襯底層的方向延伸，且多個所述結終端拓展結構延伸的距離沿預設方向遞減。

進一步地，在本實用新型一個較佳的實施例中，所述外延層上還形成有多個場限環結構，所述場限環結構向所述襯底層的方向延伸，且多個所述場限環結構延伸的距離沿所述預設方向遞減。

進一步地，在本實用新型一個較佳的實施例中，所述結終端拓展結構和所述場限環結構沿所述預設方向依次設置。

進一步地，在本實用新型一個較佳的實施例中，沿所述預設方向，所述結終端拓展結構延伸的距離大于相鄰的所述場限環結構延伸的距離。

進一步地，在本實用新型一個較佳的實施例中，沿所述預設方向，相鄰的兩個所述結終端拓展結構間的距離、相鄰的兩個所述場限環結構間的距離和相鄰的所述結終端拓展結構與場限環結構間的距離均相等。

第二方面，本實用新型實施例提供了一種半導體結構，包括上述任一項所述的半導體終端結構。

本實用新型實施例提供的半導體終端結構及半導體結構，設置于外延層上的多個結終端拓展結構延伸的距離沿預設方向遞減，延伸的距離與所具有的離子濃度相關聯，得到的各結終端拓展結構的濃度遞減，因此形成不同的濃度梯度遞進變化的結終端拓展結構，濃度梯度的漸變效果好。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施方式的技術方案，下面將對實施方式中所需要使用的附圖作簡單地介紹，應當理解，以下附圖僅示出了本實用新型的某些實施例，因此不應被看作是對范圍的限定，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他相關的附圖。