[實用新型]一種半導體終端結構及半導體結構有效
| 申請號： | 201921806520.6 | 申請日： | 2019-10-24 |
| 公開（公告）號： | CN210866185U | 公開（公告）日： | 2020-06-26 |
| 發明（設計）人： | 劉勇強;張祎龍;曾丹;史波 | 申請（專利權）人： | 珠海格力電器股份有限公司;珠海零邊界集成電路有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/739 | 分類號： | H01L29/739;H01L21/331;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662 | 代理人： | 邵淑雙 |
| 地址： | 519070*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 半導體 終端 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體終端結構，其特征在于，包括襯底層(1)以及設置于所述襯底層(1)上的外延層(2)；
所述外延層(2)上形成有多個結終端拓展結構(5)，所述結終端拓展結構(5)向所述襯底層(1)的方向延伸，且多個所述結終端拓展結構(5)延伸的距離沿預設方向遞減。
2.根據權利要求1所述的半導體終端結構，其特征在于，所述外延層(2)上還形成有多個場限環結構(6)，所述場限環結構(6)向所述襯底層(1)的方向延伸，且多個所述場限環結構(6)延伸的距離沿所述預設方向遞減。
3.根據權利要求2所述的半導體終端結構，其特征在于，所述結終端拓展結構(5)和所述場限環結構(6)沿所述預設方向依次設置。
4.根據權利要求3所述的半導體終端結構，其特征在于，沿所述預設方向，所述結終端拓展結構(5)延伸的距離大于相鄰的所述場限環結構(6)延伸的距離。
5.根據權利要求3所述的半導體終端結構，其特征在于，沿所述預設方向，相鄰的兩個所述結終端拓展結構(5)間的距離、相鄰的兩個所述場限環結構(6)間的距離和相鄰的所述結終端拓展結構(5)與場限環結構(6)間的距離均相等。
6.一種半導體結構，其特征在于，包括權利要求1-5任一項所述的半導體終端結構。
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