[實用新型]激光退火光路模組及退火裝置有效
| 申請號: | 201921806064.5 | 申請日: | 2019-10-23 |
| 公開(公告)號: | CN210837652U | 公開(公告)日: | 2020-06-23 |
| 發明(設計)人: | 張董潔;謝圣君;王昌焱;徐新峰;房用橋;王習文;潘明錚;孫玉芬;邢沐悅;呂啟濤;高云峰 | 申請(專利權)人: | 大族激光科技產業集團股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/268 | 分類號: | H01L21/268 |
| 代理公司: | 深圳眾鼎專利商標代理事務所(普通合伙) 44325 | 代理人: | 譚果林 |
| 地址: | 518000 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 激光 火光 模組 退火 裝置 | ||
本實用新型提供了一種激光退火光路模組,包括底座、第一調整支架、第二調整支架、第一調整框架、第二調整框架、鏡框、透鏡和反射鏡;透鏡安裝于鏡框內,鏡框豎向可調節地設于第一調整框架內;第一調整框架安裝于第一調整支架上,第一調整框架能夠可調節地繞第一軸和第二軸轉動,第一調整支架安裝于底座上;反射鏡安裝于第二調整框架內,第二調整框架安裝于第二調整支架上,第二調整框架能夠可調節地繞第三軸和第四軸轉動,第二調整支架安裝于底座上;本實用新型還提供了一種退火裝置,包括上述方案述及的激光退火光路模組。本實用新型提供的激光退火光路模組及退火裝置,能實現對透鏡和反射鏡的多自由度調節,調節精度高。
技術領域
本實用新型屬于激光退火技術領域,更具體地說,是涉及一種激光退火光路模組及退火裝置。
背景技術
退火是一種材料熱處理工藝,指的是將材料緩慢加熱到一定溫度,保持足夠時間,然后以適宜速度冷卻。退火的目的是降低材料的硬度,改善切削加工性;降低殘余應力,穩定尺寸,減少變形與裂紋傾向;細化晶粒,調整組織,消除組織缺陷。
隨著集成電路的發展,對其損傷區、電學參數恢復程度以及注入離子電激活率的要求也越來越高。常規的熱退火方法不能完全消除缺陷,對高劑量注入晶片的電激活率不夠高,還會產生二次缺陷,并且在熱退火過程中,整個晶片(包括注入層和襯底)都要經受一次高溫處理,增加了表面污染,特別是高溫長時間的熱退火會導致明顯的雜質再分布,破壞粒子注入技術固有的優點,限制了其在VLSI中的應用。
激光退火主要是利用高能量密度的激光束輻照退火材料表面,從而引起被照區域的溫度突然升高,達到退火效果;激光束的能量密度、材料的吸收系數、熱傳導系數、反射系數和注入層的厚度都會影響激光退火的效果。激光退火的退火區域受熱時間非常短,因而損傷區中雜質幾乎不擴散,襯底材料中的少數載流子壽命及其它電學參數基本不受影響,退火效果好。激光退火能對材料的局部退火;通過選擇激光的波長和能量密度,可在注入深度上和橫截面上進行不同的退火過程,因而可以在同一硅片上制造出不同結深或者不同擊穿電壓的器件。
現有技術中的激光退火設備在對待退火產品進行退火時,反射鏡和透鏡只能在一個或兩個方向上調節,導致透鏡不能精確聚焦或擴束,反射鏡不能精確地將激光器發射的激光反射至透鏡或產品的待退火區域,調節精度低,影響了產品的退火質量;在透鏡對激光進行多次調節及反射鏡對激光的多次反射中,延長了激光光路,增大了退火設備的體積,增大了退火設備的占地面積。
實用新型內容
本實用新型的目的之一在于提供一種激光退火光路模組,以解決現有技術中存在的激光調節精度低的技術問題。
為實現上述目的,本實用新型采用的技術方案是:提供一種激光退火光路模組,包括底座、第一調整支架、第二調整支架、第一調整框架、第二調整框架、鏡框、透鏡和反射鏡;
所述透鏡安裝于所述鏡框內,所述鏡框豎向可調節地設于所述第一調整框架內;所述第一調整框架安裝于所述第一調整支架上,所述第一調整框架能夠可調節地繞第一軸和第二軸轉動,所述第一軸與所述第二軸垂直,所述第一調整支架安裝于所述底座上;
所述反射鏡安裝于所述第二調整框架內,所述第二調整框架安裝于所述第二調整支架上,所述第二調整框架能夠可調節地繞第三軸和第四軸轉動,所述第三軸和所述第四軸垂直,所述第二調整支架安裝于所述底座上;
所述透鏡和所述反射鏡用于將激光器發射的激光導向待退火產品。
進一步地,所述第一調整支架上設有第一調節孔、第二調節孔、第一定位孔和多個第一連接孔,所有所述第一連接孔分布于所述第一軸和所述第二軸上,所述第一定位孔設于所述第一軸與所述第二軸的相交處;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





