[實用新型]天線封裝結構有效
| 申請號: | 201921804313.7 | 申請日: | 2019-10-25 |
| 公開(公告)號: | CN210692484U | 公開(公告)日: | 2020-06-05 |
| 發明(設計)人: | 吳政達;陳彥亨;林正忠;薛亞媛;徐罕 | 申請(專利權)人: | 中芯長電半導體(江陰)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/56 | 分類號: | H01L21/56;H01L21/60;H01L23/485;H01L23/31;H01L25/18;H01Q1/22;H01Q1/38;H01Q1/50 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 佟婷婷 |
| 地址: | 214437 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 天線 封裝 結構 | ||
1.一種天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構包括:
重新布線層,所述重新布線層包括第一面以及與所述第一面相對的第二面,且所述重新布線層中形成有自所述第一面打開的第一開口;
第一天線層,形成于所述第二面上并與所述重新布線層電連接;
第一金屬饋線柱,形成于所述第一天線層上并與所述第一天線層電連接;
第一封裝層,包覆所述第一金屬饋線柱,并顯露所述第一金屬饋線柱的頂面;
第二天線層,形成于所述第一封裝層上并與所述第一金屬饋線柱電連接;
第二金屬饋線柱,形成于所述第二天線層上并與所述第二天線層電連接;
第二封裝層,包覆所述第二金屬饋線柱,并顯露所述第二金屬饋線柱的頂面;
第三天線層,形成于所述第二封裝層上并與所述第二金屬饋線柱電連接;
至少一個半導體芯片,接合于所述第一面并與所述重新布線層電連接;
第三封裝層,包覆所述半導體芯片,且所述第三封裝層中形成有貫穿上下表面的第二開口,所述第二開口與所述第一開口連通設置構成引出開口;以及
金屬凸塊,形成于所述引出開口中,并與所述重新布線層電連接。
2.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述第一金屬饋線柱與所述第一天線層的連接部具有第一下金屬層,所述第一金屬饋線柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種,所述第一下金屬層的材料包括Ni層與Au層組成的疊層;和/或,所述第二金屬饋線柱與所述第二天線層的連接部具有第二下金屬層,所述第二金屬饋線柱的材料包括Au、Ag、Cu、Al中的一種,所述第二下金屬層的材料包括Ni層與Au層組成的疊層。
3.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構還包括第一保護粘附層,所述第一保護粘附層覆蓋于所述第一天線層上,所述第一金屬饋線柱經由所述第一保護粘附層形成于所述第一天線層表面,所述第一封裝層形成于所述第一保護粘附層上;和/或,所述天線封裝結構還包括第二保護粘附層,所述第二保護粘附層覆蓋于所述第二天線層上,所述第二金屬饋線柱經由所述第二保護粘附層形成于所述第二天線層表面,所述第二封裝層形成于所述第二保護粘附層上。
4.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述第一封裝層的材料包括硅膠以及環氧樹脂中的一種;所述第二封裝層的材料包括硅膠以及環氧樹脂中的一種;所述第三封裝層的材料包括硅膠以及環氧樹脂中的一種。
5.根據權利要求1所述的天線封裝結構,其特征在于,所述半導體芯片的數量為多個,所述半導體芯片包括主動組件及被動組件中的一種,其中,所述主動組件包括電源管理電路、發射電路及接收電路中的一種,所述被動組件包括電阻、電容及電感中的一種。
6.根據權利要求1-5中任意一項所述的天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構還包括底部填充層,所述底部填充層形成于所述半導體芯片與所述重新布線層之間。
7.根據權利要求6所述的天線封裝結構,其特征在于,所述天線封裝結構還包括圍壩點膠保護層,所述圍壩點膠保護層至少形成于所述半導體芯片的底部及四周,且所述圍壩點膠保護層及所述底部填充層將所述半導體芯片包圍,所述第三封裝層還封裝所述圍壩點膠保護層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





