[實用新型]陣列基板及顯示面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921788052.4
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN210272307U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 劉翔
• 申請（專利權(quán)）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 熊俊杰;劉芳

本實用新型提供一種陣列基板及顯示面板，陣列基板包括襯底基板以及位于所述襯底基板上的金屬氧化物薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管，所述金屬氧化物薄膜晶體管與所述多晶硅薄膜晶體管間隔設(shè)置，所述金屬氧化物薄膜晶體管位于第一區(qū)域，用于驅(qū)動像素電極，所述多晶硅薄膜晶體管位于第二區(qū)域，用于控制金屬氧化物薄膜晶體管。本實用新型實施例提供的陣列基板及顯示面板同時采用多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，分區(qū)域設(shè)計，工藝上兼容，有效地解決了多晶硅薄膜晶體管的技術(shù)瓶頸，使其能應(yīng)用于大尺寸顯示面板，同時能有效降低顯示面板的功耗。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及顯示面板。

背景技術(shù)

隨著顯示技術(shù)的發(fā)展，液晶顯示器(Liquid Crystal Display，簡稱LCD)等平面顯示裝置因具有高清畫質(zhì)、省電、機身薄、無輻射等優(yōu)點，而被廣泛的應(yīng)用于手機、電視、個人數(shù)字助理、筆記本電腦等各種消費性電子產(chǎn)品中，成為顯示裝置中的主流。液晶顯示面板一般由相對設(shè)置的陣列基板、彩膜基板以及夾持在陣列基板和彩膜基板之間的液晶分子層組成。通過在陣列基板和彩膜基板之間施加驅(qū)動電壓，可控制液晶分子旋轉(zhuǎn)，從而使背光模組的光線折射出來產(chǎn)生畫面。

目前，平板顯示器件向大尺寸、高集成度、高分辨率、高驅(qū)動頻率方向發(fā)展，對遷移率的要求越來越高，因而基于LTPS(Low Temperature Poly-silicon，低溫多晶硅)TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶體管)的面板技術(shù)成為主流。

然而，上述現(xiàn)有技術(shù)提供的低溫多晶硅薄膜晶體管雖然遷移率高，但是其關(guān)態(tài)電流大，用它驅(qū)動像素電極時，存在功耗高的問題。

實用新型內(nèi)容

本實用新型提供一種陣列基板及顯示面板，同時采用多晶硅薄膜晶體管和金屬氧化物薄膜晶體管，能有效降低顯示面板的功耗。

本實用新型一方面提供一種陣列基板，包括：襯底基板以及分別位于所述襯底基板的第一區(qū)域和第二區(qū)域上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；

所述第一薄膜晶體管包括第一柵極、緩沖層、第一半導(dǎo)體層、絕緣層、第一金屬氧化物保護(hù)層和源漏金屬隔離層，第一源極和第一漏極設(shè)置在所述源漏金屬隔離層上，所述絕緣層和所述第一金屬氧化物保護(hù)層上設(shè)置有多個過孔，所述第一源極和所述第一漏極通過所述過孔與所述第一半導(dǎo)體層連通；

所述第二薄膜晶體管包括依次設(shè)置的第二半導(dǎo)體層、絕緣層、第二柵極和第一金屬氧化物保護(hù)層，第二源極和第二漏極設(shè)置在所述第一金屬氧化物保護(hù)層上，所述第二半導(dǎo)體層位于所述第二區(qū)域且覆蓋在所述緩沖層上，所述第二源極和所述第二漏極分別通過所述過孔與所述第二半導(dǎo)體層連通；

所述第一半導(dǎo)體層為金屬氧化物半導(dǎo)體層，所述第二半導(dǎo)體層和所述源漏金屬隔離層為多晶硅層。

進(jìn)一步地，還包括第二金屬氧化物保護(hù)層和像素電極，所述第二金屬氧化物保護(hù)層覆蓋在所述第一漏極、所述第一源極、所述第二源極和所述第二漏極上，所述第二金屬氧化物保護(hù)層上具有接觸過孔，所述像素電極覆蓋在所述第二金屬氧化物保護(hù)層上并通過所述接觸過孔與所述第一漏極連通。

進(jìn)一步地，所述緩沖層包括第一緩沖層和第二緩沖層，所述第二緩沖層覆蓋在所述第一緩沖層之上，所述第一緩沖層為氮化硅，所述第二緩沖層為氧化硅。

進(jìn)一步地，所述第一緩沖層的厚度為所述第二緩沖層的厚度為

進(jìn)一步地，還包括遮光層，所述遮光層位于所述緩沖層和所述襯底基板的之間，且位于所述第二半導(dǎo)體層的下方。

進(jìn)一步地，所述第二源極和所述第二漏極在所述襯底基板上的投影，位于所述遮光層在所述襯底基板上的投影范圍內(nèi)。

進(jìn)一步地，所述遮光層與所述第一柵極在同一次光刻中形成。