[實用新型]陣列基板及顯示面板

有效

• 申請號: 201921788052.4
• 申請日: 2019-10-23
• 公開（公告）號: CN210272307U
• 公開（公告）日: 2020-04-07
• 發明（設計）人: 劉翔
• 申請（專利權）人: 成都中電熊貓顯示科技有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77;H01L27/12
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 熊俊杰;劉芳

1.一種陣列基板，其特征在于，包括：襯底基板以及位于所述襯底基板上的第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管；所述第一薄膜晶體管位于第一區域，所述第二薄膜晶體管位于第二區域；

所述第一薄膜晶體管包括依次設置的第一柵極、緩沖層、第一半導體層、絕緣層、第一金屬氧化物保護層和源漏金屬隔離層，第一源極和第一漏極設置在所述源漏金屬隔離層上，所述絕緣層和所述第一金屬氧化物保護層上設置有多個過孔，所述第一源極和所述第一漏極通過所述過孔與所述第一半導體層連通；

所述第二薄膜晶體管包括依次設置的第二半導體層、所述絕緣層、第二柵極和所述第一金屬氧化物保護層，第二源極和第二漏極設置在所述第一金屬氧化物保護層上，所述第二半導體層位于所述第二區域且覆蓋在所述緩沖層上，所述第二源極和所述第二漏極分別通過所述過孔與所述第二半導體層連通；

所述第一半導體層為金屬氧化物半導體層，所述第二半導體層和所述源漏金屬隔離層為多晶硅層。

2.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括第二金屬氧化物保護層和像素電極，所述第二金屬氧化物保護層覆蓋在所述第一漏極、所述第一源極、所述第二源極和所述第二漏極上，所述第二金屬氧化物保護層上具有接觸過孔，所述像素電極覆蓋在所述第二金屬氧化物保護層上并通過所述接觸過孔與所述第一漏極連通。

3.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述緩沖層包括第一緩沖層和第二緩沖層，所述第二緩沖層覆蓋在所述第一緩沖層之上，所述第一緩沖層為氮化硅，所述第二緩沖層為氧化硅。

4.根據權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述第一緩沖層的厚度為所述第二緩沖層的厚度為

5.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，還包括遮光層，所述遮光層位于所述緩沖層和所述襯底基板的之間，且位于所述第二半導體層的下方。

6.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第二源極和所述第二漏極在所述襯底基板上的投影，位于所述遮光層在所述襯底基板上的投影范圍內。

7.根據權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述遮光層與所述第一柵極在同一次光刻中形成。

8.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述金屬氧化物半導體層包括銦鎵鋅氧化物IGZO。

9.根據權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述源漏金屬隔離層與所述第二半導體層在同一次光刻中形成。

10.一種顯示面板，其特征在于，包括如權利要求1-9任一項所述的陣列基板。