[實用新型]一種半導體器件的終端結構

有效

• 申請號: 201921780363.6
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN210866184U
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 肖婷;史波;曾丹;敖利波;曹俊
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662
• 代理人: 郭金鑫

本實用新型公開了一種半導體器件的終端結構，包括半導體襯底層、溝槽和離子摻雜層；多個溝槽沿預設方向開設在所述半導體襯底層上表面，多個所述溝槽的尺寸沿所述預設方向逐漸增大；離子摻雜層通過離子注入在所述半導體襯底層形成，所述離子摻雜層包圍所述溝槽。本實用新型在溝槽刻蝕階段對溝槽結構進行改進，通過溝槽刻蝕尺寸來影響刻蝕深度情況，實現終端結構的變摻雜，無需對終端離子注入工藝進行調整，避免了離子斷開，不能實現漸變，引起器件漏電的問題。

技術領域

本實用新型涉及半導體器件技術領域，具體涉及一種半導體器件的終端結構。

背景技術

以IGBT、MOSFET為代表的功率半導體器件是當今電力電子領域的主流器件，是弱電控制強電的關鍵器件。其廣泛應用于各種功率控制電路、驅動電路等電路中。尤其是在各種變頻電機、光伏逆變及智能電網、新能源汽車、電力機車牽引驅動等領域有著不可替代的作用。

傳統設計上的功率半導體器件(以MOSFET及IGBT)在終端耐壓結構方面常采用場限環(結合金屬或多晶場板)結構、結終端擴展結構、橫向變摻雜結構等等，其中結終端擴展結構和橫向變摻雜結構在占用終端寬度上有較大的優勢。

現有的終端結構，多是從版圖設計和調整終端離子注入工藝兩個方向進行，實現變摻雜結構。此種結構在實際生產時，需要精確控制離子注入劑量，易造成終端環注入離子斷開，不能實現漸變，引起器件漏電。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種半導體器件的終端結構，以解決現有的實現變摻雜的結構容易出現離子斷開，不能實現漸變，引起器件漏電的問題。

為實現上述目的，本實用新型提出的技術方案如下：

一種半導體器件的終端結構，包括：

半導體襯底層；

沿預設方向開設在所述半導體襯底層上表面的多個溝槽，多個所述溝槽的尺寸沿所述預設方向逐漸增大；

通過離子注入在所述半導體襯底層形成的離子摻雜層，所述離子摻雜層包圍所述溝槽。

進一步的，多個所述溝槽的深度沿所述預設方向逐漸增大，和/或，多個所述溝槽的寬度沿所述預設方向逐漸增大。

進一步的，多個所述溝槽均勻間隔布設。

進一步的，所述離子摻雜層包括多個沿所述預設方向依次連接的離子摻雜模塊，所述離子摻雜模塊包括包圍所述溝槽底壁的底部和包圍所述溝槽側壁的側部。

進一步的，包括第一氧化層，所述第一氧化層設置在所述半導體襯底層上表面和所述溝槽的內側。

進一步的，包括多晶硅層，所述多晶硅層設置在位于所述溝槽內側的第一氧化層上。

進一步的，包括第二氧化層，所述第二氧化層設置在位于所述半導體表面的第一氧化層上，并填充所述溝槽。

進一步的，包括金屬層，所述金屬層設置在所述第二氧化層的兩側，并分別與所述第二氧化層和所述半導體襯底層連接。

進一步的，還包括設置在所述半導體襯底層一側的截止環。

根據本實用新型提供的半導體器件的終端結構，在溝槽刻蝕階段對溝槽結構進行改進，通過溝槽刻蝕尺寸來影響刻蝕深度情況，實現終端結構的變摻雜，無需對終端離子注入工藝進行調整，避免了離子斷開，不能實現漸變，引起器件漏電的問題。

以上附加方面的優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。

附圖說明

圖1為本實用新型實施例的一種半導體器件的終端結構的結構示意圖；