[實用新型]一種半導體器件的終端結構

有效

• 申請號: 201921780363.6
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN210866184U
• 公開（公告）日: 2020-06-26
• 發明（設計）人: 肖婷;史波;曾丹;敖利波;曹俊
• 申請（專利權）人: 珠海格力電器股份有限公司
• 主分類號: H01L29/739
• 分類號: H01L29/739;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335;H01L21/336
• 代理公司: 北京華夏泰和知識產權代理有限公司 11662
• 代理人: 郭金鑫

1.一種半導體器件的終端結構，其特征在于，包括：

半導體襯底層(1)；

沿預設方向開設在所述半導體襯底層上表面的多個溝槽(2)，多個所述溝槽(2)的尺寸沿所述預設方向逐漸增大；

通過離子注入在所述半導體襯底層(1)形成的離子摻雜層(3)，所述離子摻雜層(3)包圍所述溝槽(2)。

2.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，多個所述溝槽(2)的深度沿所述預設方向逐漸增大，和/或，多個所述溝槽(2)的寬度沿所述預設方向逐漸增大。

3.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，多個所述溝槽(2)均勻間隔布設。

4.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，所述離子摻雜層(3)包括多個沿所述預設方向依次連接的離子摻雜模塊(31)，所述離子摻雜模塊(31)包括包圍所述溝槽(2)底壁的底部(311)和包圍所述溝槽(2)側壁的側部(312)。

5.根據權利要求1所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，包括第一氧化層(4)，所述第一氧化層(4)設置在所述半導體襯底層(1)上表面和所述溝槽(2)的內側。

6.根據權利要求5所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，包括多晶硅層(5)，所述多晶硅層(5)設置在位于所述溝槽(2)內側的第一氧化層(4)上。

7.根據權利要求6所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，包括第二氧化層(6)，所述第二氧化層(6)設置在位于所述半導體表面的第一氧化層(4)上，并填充所述溝槽(2)。

8.根據權利要求7所述的半導體器件的終端結構，其特征在于，包括金屬層(7)，所述金屬層(7)設置在所述第二氧化層(6)的兩側，并分別與所述第二氧化層(6)和所述半導體襯底層(1)連接。

9.根據權利要求1-8任一項所述半導體器件的終端結構，其特征在于，還包括設置在所述半導體襯底層(1)一側的截止環(8)。