[實用新型]鍍膜設備、離子源、以及柵極結構

有效

• 申請號: 201921773004.8
• 申請日: 2019-10-21
• 公開（公告）號: CN210826329U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 姜友松;宣玲;王懷民
• 申請（專利權）人: 合肥晞隆光電有限公司
• 主分類號: C23C14/32
• 分類號: C23C14/32;H01J37/32
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 張印鐸;周達

本申請公開一種鍍膜設備、離子源、以及柵極結構，該鍍膜設備包括：真空容器；具有基板保持面的基板保持單元；具有等離子體引出柵極結構的離子源；其中，所述柵極結構包括：具有球面結構的主體部、以及位于所述主體部邊側的平衡部；所述主體部在所述基板保持面上形成第一照射區域；所述平衡部在所述基板保持面上形成第二照射區域；至少一部分所述平衡部的第二照射區域與一部分所述主體部的第二照射區域相重合；成膜單元；所述成膜單元以能夠向所述基板保持面的一部分區域供給成膜材料的形式被設置在真空容器中。該鍍膜設備、離子源、以及柵極結構能夠使得等離子體在被照射區域分布更加均勻。

技術領域

本申請涉及鍍膜領域，尤其涉及一種鍍膜設備、離子源、以及柵極結構。

背景技術

在真空光學蒸發鍍膜設備中，通常需要用到離子源。其主要作用有：在蒸鍍開始之前利用離子源產生的等離子體對基板進行清洗，提高基板附著力。在蒸鍍過程中，等離子體起離子輔助蒸鍍的作用，可顯著提高膜的致密性、改善膜的機械特性。因而離子源的穩定性對鍍膜的質量有很大影響

現在主流的射頻感應耦合等離子體(RFICP Radio Frequency InductiveCoupled Plasma)的放電式離子源采用盤香型線圈作為RF(Radio Frequency)源。在現有結構中，產生等離子體的氣體從放電室底部中心導入放電室，在RF源作用下形成等離子體，再利用等離子體引出柵極將等離子體引出。

工作過程中，放電室中產生的等離子體通過等離子引出柵極上工作部位的等離子體引出孔而形成等離子束，等離子束對基板支架上的鍍膜工件進行碰撞，從而實現離子源的作用。

現有的弊端就在于：根據盤香型RF線圈產生等離子體的原理，放電室中心的等離子體密度遠大于其邊緣處，這樣就導致整個基板支架被照射區域內的外圓周部位接收到的等離子體遠遠小于照射區域的中心部位，使得整個基板支架被照射區域內的離子電流密度分布不均勻，進而影響成膜質量，對鍍膜生產產生影響。

實用新型內容

鑒于上述不足，本申請的一個目的是提供一種鍍膜設備、離子源、以及柵極結構，以能夠使得等離子體在被照射區域分布更加均勻。

為達到上述目的，本申請采用如下技術方案：

一種鍍膜設備，包括：

真空容器；

具有基板保持面的基板保持單元；

具有等離子體引出柵極結構的離子源；所述離子源以離子束能夠向著所述基板保持面的至少一部分區域進行照射的形式被設置在所述真空容器中；其中，所述柵極結構包括：具有球面結構的主體部、以及位于所述主體部邊側的平衡部；所述主體部在所述基板保持面上形成第一照射區域；所述平衡部在所述基板保持面上形成第二照射區域；至少一部分所述平衡部的第二照射區域與一部分所述主體部的第二照射區域相重合；

成膜單元；所述成膜單元以能夠向所述基板保持面的至少一部分區域供給成膜材料的形式被設置在真空容器中；所述供給成膜材料的區域與所述離子源的照射區域的至少一部分相重合。

一種離子源，包括：

離子源殼體；

設置于所述離子源殼體內部的放電室；

蓋設在放電室上的等離子體引出柵極結構；所述柵極結構上分布有用于輸出離子束的離子引出孔；所述柵極結構包括：具有球面結構的主體部、以及位于所述主體部邊側的平衡部；所述主體部具有的第一照射區域；所述平衡部具有第二照射區域；其中，至少一部分所述平衡部的第二照射區域與一部分所述主體部的第二照射區域相重合；

設置于所述離子源殼體內部的射頻天線；

用于從所述離子源殼體外部向所述放電室內導入氣體的進氣組件。