[實用新型]半導體發光裝置有效
| 申請號： | 201921772079.4 | 申請日： | 2019-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN211017734U | 公開（公告）日： | 2020-07-14 |
| 發明（設計）人： | 神津孝一;柳澤浩德 | 申請（專利權）人： | 優志旺光半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01S5/026 | 分類號： | H01S5/026;H01S5/022;H01L33/48;H01L33/62 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 白麗 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 發光 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體發光裝置，其特征在于，其具備：
放出光的半導體發光元件；
探測由所述半導體發光元件放出的光的輸出功率的光電二極管；
通過利用第1熔敷材料的熔敷而固定有所述光電二極管的管座；和
通過利用凝固開始溫度與所述第1熔敷材料不同的第2熔敷材料的熔敷固定于所述管座上且搭載有所述半導體發光元件的子裝配。
2.根據權利要求1所述的半導體發光裝置，其特征在于，所述第1熔敷材料的凝固開始溫度高于所述第2熔敷材料的凝固開始溫度。
3.根據權利要求1或2所述的半導體發光裝置，其特征在于，所述半導體發光元件使用了氮化物系的半導體。
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