[實用新型]一種深紫外LED器件有效
| 申請號： | 201921741330.0 | 申請日： | 2019-10-16 |
| 公開（公告）號： | CN210743971U | 公開（公告）日： | 2020-06-12 |
| 發明（設計）人： | 范東華;梁勝華;李炳乾;郝銳;楊明德;黃吉兒;張云波 | 申請（專利權）人： | 五邑大學 |
| 主分類號： | H01L33/48 | 分類號： | H01L33/48;H01L33/52;H01L33/58;H01L33/62 |
| 代理公司： | 廣州嘉權專利商標事務所有限公司 44205 | 代理人： | 趙琴娜 |
| 地址： | 529000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 深紫 led 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種深紫外LED器件，其特征在于，包括：
具有正負電極的基板，所述基板上設置有圍壩；
深紫外LED芯片，所述深紫外LED芯片固定于所述基板上并與所述基板上的正負電極連接；
透鏡，所述透鏡周緣設置有與所述圍壩適配的邊框；所述透鏡通過所述邊框扣合于所述基板的圍壩內，并構成容納所述深紫外LED芯片的內腔；
由攪拌摩擦焊成型的焊縫，用于密封連接所述圍壩與所述邊框之間的間隙。
2.根據權利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述基板上具有一凹槽，所述凹槽與所述透鏡之間構成所述內腔，所述深紫外LED芯片位于所述凹槽內。
3.根據權利要求1或2所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述深紫外LED芯片通過固晶層固定于所述基板。
4.根據權利要求3所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述固晶層為無鉛錫膏。
5.根據權利要求3所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述固晶層為導電固晶層，還用于所述深紫外LED芯片與所述基板上的正負電極連接。
6.根據權利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述深紫外LED芯片與所述基板上的正負電極通過導線電氣連接。
7.根據權利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述透鏡為平面型石英玻璃透鏡或半球面石英玻璃透鏡。
8.根據權利要求1所述的深紫外LED器件，其特征在于，所述內腔中填充惰性氣體、氮氣、中性液體或抽真空。
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