[實用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921723009.X
• 申請日: 2019-10-14
• 公開（公告）號: CN210837712U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 江文涌
• 申請（專利權(quán)）人: 長鑫存儲技術(shù)有限公司
• 主分類號: H01L21/8242
• 分類號: H01L21/8242;H01L27/108
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤;陳麗麗

1.一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底內(nèi)具有多條字線、位于相鄰兩條所述字線之間的導(dǎo)電接觸區(qū)；

孔，位于所述導(dǎo)電接觸區(qū)；

溝槽，位于所述導(dǎo)電接觸區(qū)；

所述孔位于所述溝槽上方且相互連通；

其中所述孔的寬度大于所述溝槽的寬度。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括：

隔離層，位于所述字線與所述導(dǎo)電接觸區(qū)之間，用于電性隔離所述導(dǎo)電接觸區(qū)與所述字線；

所述字線的頂面與所述溝槽的底面均位于所述隔離層的頂面之下。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底內(nèi)還具有字線溝槽，所述隔離層覆蓋于所述字線溝槽內(nèi)壁，所述字線填充于部分所述字線溝槽內(nèi)、并覆蓋于部分所述隔離層背離所述導(dǎo)電接觸區(qū)的表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述孔的寬度與所述導(dǎo)電接觸區(qū)的寬度相等。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電接觸區(qū)為存儲單元接觸區(qū)或位線接觸區(qū)。

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，多條所述字線將所述襯底劃分為若干個交替排列的存儲單元接觸區(qū)和位線接觸區(qū)；

所述孔包括位于所述存儲單元接觸區(qū)的第一孔和位于所述位線接觸區(qū)的第二孔；

所述溝槽包括位于所述存儲單元接觸區(qū)的第一溝槽和位于所述位線接觸區(qū)的第二溝槽；

所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括至少填充滿所述第一孔和所述第一溝槽的存儲單元接觸插塞、以及至少填充滿所述第二孔和所述第二溝槽的位線接觸插塞。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述存儲單元接觸插塞與所述位線接觸插塞的材料均為多晶硅材料。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述字線的材料為金屬材料。

9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿垂直于所述襯底的方向上，所述存儲單元接觸插塞和所述位線接觸插塞的底面均位于所述字線的頂面之上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，在沿垂直于所述襯底的方向上，所述存儲單元接觸插塞的底面距離所述隔離層頂面的距離大于或等于所述存儲單元接觸插塞的底面距離所述字線頂面的距離，且所述位線接觸插塞的底面距離所述隔離層頂面的距離大于或等于所述位線接觸插塞的底面距離所述字線頂面的距離。