[實用新型]一種氧化物薄膜晶體管、顯示裝置有效
| 申請號: | 201921705912.3 | 申請日: | 2019-10-12 |
| 公開(公告)號: | CN210156377U | 公開(公告)日: | 2020-03-17 |
| 發明(設計)人: | 邵喜斌;廖燕平;郭會斌 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司;武漢京東方光電科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/12 | 分類號: | H01L27/12;H01L27/02 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 許靜;胡影 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 氧化物 薄膜晶體管 顯示裝置 | ||
本實用新型提供一種氧化物薄膜晶體管、顯示裝置,涉及薄膜晶體管技術領域,解決氧化物薄膜晶體管中的氧化物有源層容易出現局部劣化,進而影響顯示面板良率的問題。該氧化物薄膜晶體管包括:柵極;依次排布的第一有源層結構和第二有源層結構,第一有源層結構包括相對設置的第一導電連接部和第二導電連接部,以及分別與第一導電連接部和第二導電連接部耦接的第一氧化物半導體圖形;第二有源層結構包括相對設置的第三導電連接部和第四導電連接部,以及分別與第三導電連接部和第四導電連接部耦接的第二氧化物半導體圖形;第二導電連接部與第三導電連接部耦接。本實用新型提供的氧化物薄膜晶體管用于驅動像素發光。
技術領域
本實用新型涉及薄膜晶體管技術領域,尤其涉及一種氧化物薄膜晶體管、顯示裝置。
背景技術
氧化物薄膜晶體管以其高電子遷移率、低關態電流、制備工藝簡單等優勢成為大尺寸、高分辨率、低功耗、窄邊框的顯示面板的首選。但是這種氧化物薄膜晶體管在制作過程中,由于氧化物有源層制備工藝的不穩定性,導致氧化物有源層容易出現局部劣化,進而對顯示面板的良率產生影響。
實用新型內容
本實用新型的目的在于提供一種氧化物薄膜晶體管、顯示裝置,用于解決氧化物薄膜晶體管中的氧化物有源層容易出現局部劣化,進而影響顯示面板良率的問題。
為了實現上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
本實用新型的第一方面提供一種氧化物薄膜晶體管,包括:
設置在基底上的柵極;
沿第一方向依次排布的至少兩個有源層結構,所述至少兩個有源層結構包括第一有源層結構和第二有源層結構,所述第一有源層結構包括:相對設置的第一導電連接部和第二導電連接部,以及位于所述第一導電連接部和所述第二導電連接部之間,且分別與所述第一導電連接部和所述第二導電連接部耦接的第一氧化物半導體圖形;所述第二有源層結構包括:相對設置的第三導電連接部和第四導電連接部,以及位于所述第三導電連接部和所述第四導電連接部之間,且分別與所述第三導電連接部和所述第四導電連接部耦接的第二氧化物半導體圖形;所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影和所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影,均位于所述柵極在所述基底上的正投影的內部;所述第二導電連接部與所述第三導電連接部耦接。
可選的,所述第一導電連接部在所述基底上的正投影,與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第一交疊區域;
所述第二導電連接部在所述基底上的正投影,與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第二交疊區域;
所述第三導電連接部在所述基底上的正投影,與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第三交疊區域;
所述第四導電連接部在所述基底上的正投影,與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第四交疊區域;
所述第二交疊區域和所述第三交疊區域位于所述第一交疊區域和所述第四交疊區域之間。
可選的,所述薄膜晶體管還包括第一搭接部,所述第二導電連接部和所述第三導電連接部通過所述第一搭接部耦接,所述第一搭接部在所述基底上的正投影與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊,且與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊。
可選的,所述第一氧化物半導體圖形和所述第二氧化物半導體圖形沿第一方向依次排列,且沿與所述第一方向垂直的第二方向錯開。
可選的,所述第一氧化物半導體圖形在所述第二方向上的正投影,與所述第二氧化物半導體圖形在所述第二方向上的正投影形成第五交疊區域,所述第二導電連接部、所述第一搭接部和所述第三導電連接部形成為沿所述第二方向延伸的一體化一字型結構,所述第五交疊區域在所述第一方向的尺寸與所述一字型結構沿第一方向的寬度相同。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





