[實用新型]一種氧化物薄膜晶體管、顯示裝置

有效

• 申請號: 201921705912.3
• 申請日: 2019-10-12
• 公開（公告）號: CN210156377U
• 公開（公告）日: 2020-03-17
• 發明（設計）人: 邵喜斌;廖燕平;郭會斌
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;武漢京東方光電科技有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12;H01L27/02
• 代理公司: 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243
• 代理人: 許靜;胡影

1.一種氧化物薄膜晶體管，其特征在于，包括：

設置在基底上的柵極；

沿第一方向依次排布的至少兩個有源層結構，所述至少兩個有源層結構包括第一有源層結構和第二有源層結構，所述第一有源層結構包括：相對設置的第一導電連接部和第二導電連接部，以及位于所述第一導電連接部和所述第二導電連接部之間，且分別與所述第一導電連接部和所述第二導電連接部耦接的第一氧化物半導體圖形；所述第二有源層結構包括：相對設置的第三導電連接部和第四導電連接部，以及位于所述第三導電連接部和所述第四導電連接部之間，且分別與所述第三導電連接部和所述第四導電連接部耦接的第二氧化物半導體圖形；所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影和所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影，均位于所述柵極在所述基底上的正投影的內部；所述第二導電連接部與所述第三導電連接部耦接。

2.根據權利要求1所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導電連接部在所述基底上的正投影，與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第一交疊區域；

所述第二導電連接部在所述基底上的正投影，與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第二交疊區域；

所述第三導電連接部在所述基底上的正投影，與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第三交疊區域；

所述第四導電連接部在所述基底上的正投影，與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成第四交疊區域；

所述第二交疊區域和所述第三交疊區域位于所述第一交疊區域和所述第四交疊區域之間。

3.根據權利要求2所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述薄膜晶體管還包括第一搭接部，所述第二導電連接部和所述第三導電連接部通過所述第一搭接部耦接，所述第一搭接部在所述基底上的正投影與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊，且與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊。

4.根據權利要求3所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一氧化物半導體圖形和所述第二氧化物半導體圖形沿第一方向依次排列，且沿與所述第一方向垂直的第二方向錯開。

5.根據權利要求4所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一氧化物半導體圖形在所述第二方向上的正投影，與所述第二氧化物半導體圖形在所述第二方向上的正投影形成第五交疊區域，所述第二導電連接部、所述第一搭接部和所述第三導電連接部形成為沿所述第二方向延伸的一體化一字型結構，所述第五交疊區域在所述第一方向的尺寸與所述一字型結構沿第一方向的寬度相同。

6.根據權利要求2所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一氧化物半導體圖形和所述第二氧化物半導體圖形形成為一體化結構，所述第二導電連接部復用為所述第三導電連接部。

7.根據權利要求3～6中任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第一導電連接部包括沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸的第一部分，和由所述第一部分沿所述第二方向延伸出的第二部分，所述第一部分在所述基底上的正投影與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影形成所述第一交疊區域，所述第二部分在所述基底上的正投影與所述第一氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊。

8.根據權利要求3～6中任一項所述的氧化物薄膜晶體管，其特征在于，所述第四導電連接部包括第三部分和第四部分，所述第三部分沿與所述第一方向垂直的第二方向延伸，所述第三部分在所述基底上的正投影與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影部分交疊，形成所述第四交疊區域；

所述第四部分沿所述第一方向延伸，所述第四部分在所述基底上的正投影與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊，所述第四部分與所述第三部分的第一端耦接，該第一端在所述基底上的正投影與所述第二氧化物半導體圖形在所述基底上的正投影不交疊。