[實用新型]用于電子束蒸鍍的鍋盤

有效

• 申請號: 201921686788.0
• 申請日: 2019-10-10
• 公開（公告）號: CN210765485U
• 公開（公告）日: 2020-06-16
• 發明（設計）人: 葉小兵;孔德興
• 申請（專利權）人: 張家港志辰光學技術有限公司
• 主分類號: C23C14/30
• 分類號: C23C14/30;C23C14/10
• 代理公司: 無錫市匯誠永信專利代理事務所(普通合伙) 32260
• 代理人: 許云峰

本實用新型公開了一種用于電子束蒸鍍的鍋盤，其包括盤底和側壁部，側壁部呈截頭的倒錐狀，也即側壁部的上邊緣的外徑大于下邊緣的外徑，側壁部從上到下逐漸向靠近用于電子束蒸鍍的鍋盤的縱向中軸線方向傾斜，在側壁部的外側面上設置有多個朝向用于電子束蒸鍍的鍋盤的縱向中軸線凹陷的落料槽。本實用新型的鍋盤還包括與側壁部的上邊緣連接的物料遮擋部，物料遮擋部包括從下到上向靠近用于電子束蒸鍍的鍋盤的縱向中軸線傾斜設置的物料遮擋坡面。利用本實用新型的鍋盤進行電子束蒸鍍時可有效減少從鍋盤中掉落的膜料量并可避免膜料卡在鍋盤與EBG中間而影響鍋盤轉動，因而確保了更佳的蒸鍍鍍膜效果。

技術領域

本實用新型涉及鍍膜裝置技術領域，具體涉及一種用于電子束蒸鍍的鍋盤。

背景技術

電子束蒸鍍(Electron Beam Evaporation)是指利用高能電子轟擊待蒸鍍膜材，使之融化、蒸發進而沉積在物體表面的一種物理氣相沉積成膜的方法。電子束蒸鍍后的膜材具有更高的精度和純度。SiO₂作為鍍膜行業最常用的一種低折射率材料，其具有價格低廉，加工工藝簡單以及性能穩定的優點，因而SiO₂被應用于多種產品的蒸鍍膜料。

目前常用的是SiO₂顆粒料以及石英環進行SiO₂膜層的鍍膜膜層蒸鍍，在利用SiO₂進行電子束蒸鍍鍍膜時，首先將SiO₂原料放置于鍋盤中，在鍋盤旋轉過程中利用電子蒸鍍槍(EBG)對SiO₂進行轟擊。為了確保SiO₂的蒸鍍效果，通常需要將電子蒸鍍槍(EBG)與鍋盤之間的距離設置的盡量小，以不超過2mm為宜。但是，在蒸鍍過程中極易出現SiO₂從鍋盤中蹦出掉落，并卡在EBG與鍋盤中間，因而非常容易造成卡鍋，對鍍膜效果造成較大影響。

實用新型內容

為克服上述缺點，本實用新型的目的在于提供一種不易于卡鍋的用于電子束蒸鍍的鍋盤。

本實用新型的用于電子束蒸鍍的鍋盤包括盤底和側壁部，所述側壁部的上邊緣的內徑大于下邊緣的內徑，所述側壁部從上到下逐漸向靠近所述用于電子束蒸鍍的鍋盤的縱向中軸線方向傾斜，在所述側壁部的外側面上設置有朝向所述用于電子束蒸鍍的鍋盤的縱向中軸線凹陷的落料槽，所述盤底的中部設置有向上突起的凸臺，在所述凸臺與所述側壁部中間設置有用于放置成膜料的物料容納槽。本實用新型的用于電子束蒸鍍的鍋盤的側壁部的下邊緣的外徑尺寸小于上邊緣的外徑尺寸且側壁部從上到下逐漸向鍋盤的縱向中軸線方向傾斜，因而，在側壁部與EBG之間卡入膜料后也可沿著側壁部的外側壁快速掉落，通過在本實用新型的用于電子束蒸鍍的鍋盤的側壁部上設置落料槽，使得從鍋盤中蹦出掉落的蒸鍍膜料進入落料槽中，并隨著鍋盤轉動而及時掉落，不會卡在鍋盤與EBG中間而阻礙鍋盤的轉動。

進一步的，所述落料槽至少為一個并在所述側壁部的外表面上沿其周向方向依次設置，靠近所述側壁部的上邊緣的所述落料槽的槽壁與槽底的距離大于靠近所述側壁部的下邊緣的所述落料槽的槽壁與槽底的距離，所述落料槽的槽壁從上到下向靠近所述用于電子束蒸鍍的鍋盤的縱向中軸線傾斜。因而落料槽的槽體深度從上到下逐漸減小，所以在落料槽的上端處靠近側壁部的上邊緣的位置能夠容納更多的掉落出來的膜料，并在鍋盤旋轉時使得膜料順利掉落。

更進一步的，至少一個所述落料槽的下邊緣沿著所述側壁部的外側壁的下邊緣設置。因而，對于顆粒較大的膜料，可在鍋盤轉動過程中在落料槽內逐漸從上到下掉落，不會將鍋盤與EBG卡住。

進一步的，所述落料槽為在所述側壁部的外表面上設置的至少一個螺旋狀凹槽，所述落料槽的上槽口位于所述用于電子束蒸鍍的鍋盤的上邊緣，所述落料槽的下槽口位于所述用于電子束蒸鍍的鍋盤的下邊緣。將落料槽設置為螺旋狀，使得在鍋盤旋轉過程中膜料更易掉落，不卡盤。

進一步的，所述凸臺的上表面不超過所述側壁部的上邊緣的高度。