[實用新型]SGT器件有效
| 申請號： | 201921682871.0 | 申請日： | 2019-09-29 |
| 公開（公告）號： | CN210403736U | 公開（公告）日： | 2020-04-24 |
| 發明（設計）人： | 羅志云;王飛;潘夢瑜 | 申請（專利權）人： | 恒泰柯半導體（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/06 | 分類號： | H01L29/06;H01L29/423;H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 上海宏京知識產權代理事務所(普通合伙) 31297 | 代理人： | 馮華 |
| 地址： | 201203 上海市浦東新區中國(*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | sgt 器件 | ||
1.一種SGT器件，其特征在于，包括：
第一導電類型的襯底；
第一導電類型的外延層，位于所述第一導電類型的襯底的上表面；
溝槽，位于所述第一導電類型的外延層內，且沿所述第一導電類型的外延層的厚度方向延伸；
屏蔽柵介質層，覆蓋所述溝槽的側壁及底部；
屏蔽柵極，位于所述溝槽內，且位于所述屏蔽柵介質層遠離所述第一導電類型的外延層的表面；
多晶硅柵極，位于所述溝槽內，且位于所述屏蔽柵極的上方；
柵氧化層，位于所述溝槽的側壁，且位于所述多晶硅柵極與所述第一導電類型的外延層之間；
絕緣隔離層，位于所述溝槽內，且位于所述多晶硅柵極與所述屏蔽柵極之間；
第二導電類型的注入區域，位于所述第一導電類型的外延層內，且位于所述溝槽的下方。
2.根據權利要求1所述的SGT器件，其特征在于：所述溝槽及所述第二導電類型的注入區域均為多個，多個所述溝槽于所述第一導電類型的外延層沿垂直于所述溝槽延伸的方向間隔排布；各所述第二導電類型的注入區域一一對應設置于各所述溝槽的下方。
3.根據權利要求1所述的SGT器件，其特征在于：所述第一導電類型包括N型，且所述第二導電類型包括P型。
4.根據權利要求1所述的SGT器件，其特征在于：所述第一導電類型包括P型，且所述第二導電類型包括N型。
5.根據權利要求1所述的SGT器件，其特征在于：所述第二導電類型的注入區域包覆所述溝槽的底部。
6.根據權利要求1至5中任一項所述的SGT器件，其特征在于：所述SGT器件還包括：
第二導電類型的體區，位于所述第一導電類型的外延層內，且位于所述柵氧化層的外圍；
第一導電類型的源區，位于所述第一導電類型的外延層內，且位于所述柵氧化層的外圍，并位于所述第二導電類型的體區上方；
柵極電極，與所述多晶硅柵極相連接；
源極電極，與所述第二導電類型的體區相連接；
漏極電極，位于所述第一導電類型的襯底的下表面。
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