[實用新型]密封環(huán)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921680581.2
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN210978513U
• 公開（公告）日: 2020-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 張佑語;黃俊堯
• 申請（專利權(quán)）人: 麥豐密封科技股份有限公司
• 主分類號: F16J15/06
• 分類號: F16J15/06;H01L21/67
• 代理公司: 北京派特恩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11270
• 代理人: 薛恒;王琳

一種密封環(huán)，設(shè)置在半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，包括本體以及第一延伸部，前述第一延伸部朝前述密封環(huán)的內(nèi)側(cè)方向凸出于前述本體。特別地是，前述第一延伸部嵌入前述半導(dǎo)體工藝設(shè)備的晶座本體以及連接層之間，以防止工藝流體侵蝕前述連接層。

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型有關(guān)于一種密封環(huán)，特別是有關(guān)于一種應(yīng)用在半導(dǎo)體工藝設(shè)備中的密封環(huán)。

背景技術(shù)

首先請參閱圖1和圖2，其中圖1表示現(xiàn)有半導(dǎo)體工藝設(shè)備1在腔體30中對晶圓2實施半導(dǎo)體工藝的示意圖，圖2則表示圖1中A部分的放大圖。

如圖1和圖2所示，前述半導(dǎo)體工藝設(shè)備1例如為等離子體蝕刻設(shè)備，其主要包括晶座10以及延伸覆蓋組件20。前述晶座10設(shè)置在腔體30內(nèi)部，且其包括晶座本體11、流體供應(yīng)單元13以及承載組件12，其中承載組件12設(shè)在晶座本體11之上，晶圓2設(shè)置在承載組件12之上，流體供應(yīng)單元13則設(shè)置在晶座本體11內(nèi)部，并可經(jīng)過該承載組件12而對該晶圓2提供流體3；其中，溝槽14形成于該晶座10的晶座側(cè)面15，且位于晶座本體11與承載組件12的連接處。

請繼續(xù)參閱圖2，在現(xiàn)有技術(shù)中，由于晶座本體11與承載組件12的連接處存在有微小縫隙，因此流體3往往容易經(jīng)過此縫隙而在溝槽14處泄漏。

圖3表示在圖2中的溝槽14填入粘膠4的示意圖，圖4則表示圖3中的粘膠4被等離子體粒子蝕刻而損耗的示意圖。如圖3，為了防止流體3泄漏，可在前述溝槽14中填入粘膠4，然而由于粘膠4會在半導(dǎo)體工藝中被等離子體粒子蝕刻而損耗(圖4)，因此在長期使用后將失去其密封效果。此外，由于粘膠4損毀后難以卸除且無法重復(fù)使用，因此不利于定期補強或更換，從而會嚴(yán)重影響到整體工藝的合格率。

實用新型內(nèi)容

有鑒于前述現(xiàn)有問題點，本實用新型的實施例提供一種密封環(huán)，設(shè)置在半導(dǎo)體工藝設(shè)備中，其中前述半導(dǎo)體工藝設(shè)備包括連接層以及晶座，前述晶座包括晶座本體以及用以承載前述晶圓的承載組件，前述連接層設(shè)置在前述晶座本體以及前述承載組件之間并且包含金屬導(dǎo)體，其中前述密封環(huán)包括本體以及第一延伸部。特別地是，前述第一延伸部朝前述密封環(huán)的內(nèi)側(cè)方向凸出于前述本體，其中前述第一延伸部嵌設(shè)在前述晶座本體以及前述金屬導(dǎo)體之間，以防止工藝流體侵蝕前述連接層內(nèi)的電極等組件。

在一實施例中，前述密封環(huán)還包括第一凸出結(jié)構(gòu)，自前述第一延伸部朝前述內(nèi)側(cè)方向凸出，且前述第一凸出結(jié)構(gòu)的厚度小于前述第一延伸部的厚度。

在一實施例中，前述第一凸出結(jié)構(gòu)和前述第一延伸部之間形成有兩個凹陷區(qū)域，且前述凹陷區(qū)域位于前述第一凸出結(jié)構(gòu)的相反側(cè)。

在一實施例中，前述密封環(huán)還包括第二延伸部以及溝槽，前述第二延伸部朝前述密封環(huán)的內(nèi)側(cè)方向凸出于前述本體，且嵌設(shè)在前述晶座本體以及前述金屬導(dǎo)體之間，以防止工藝流體侵蝕前述連接層，其中前述溝槽形成于前述第一、第二延伸部之間，用以容納前述金屬導(dǎo)體。

在一實施例中，前述密封環(huán)還具有第二凸出結(jié)構(gòu)，自前述第二延伸部朝前述內(nèi)側(cè)方向凸出，且前述第二凸出結(jié)構(gòu)的厚度小于前述第二延伸部的厚度。

在一實施例中，前述密封環(huán)還包括頂面，抵接前述承載組件并且連接前述本體、前述第二延伸部以及前述第二凸出結(jié)構(gòu)。

在一實施例中，前述第一凸出部在前述密封環(huán)的徑向方向上的長度大于或等于前述第二凸出部在前述徑向方向上的長度。

在一實施例中，前述第二凸出結(jié)構(gòu)和前述第二延伸部之間形成有凹陷區(qū)域，且前述凹陷區(qū)域鄰接前述金屬導(dǎo)體。

在一實施例中，前述密封環(huán)還包括第三延伸部，朝前述密封環(huán)的底側(cè)方向凸出于前述本體，其中前述第三延伸部顯露在前述密封環(huán)的外側(cè)表面，且前述第三延伸部具有倒角面，對應(yīng)于前述晶座本體的倒角結(jié)構(gòu)。

在一實施例中，前述倒角面為斜面或曲面。

附圖說明