[實(shí)用新型]半導(dǎo)體封裝體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921679525.7 | 申請日： | 2019-10-09 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN210897259U | 公開（公告）日： | 2020-06-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 高榮范 | 申請（專利權(quán)）人： | 美光科技公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/485 | 分類號(hào)： | H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287 | 代理人： | 王龍 |
| 地址： | 美國愛*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 | ||
本申請是關(guān)于半導(dǎo)體封裝體。根據(jù)一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝體包括：半導(dǎo)體裸片，其具有第一表面、與第一表面相對的第二表面，及連接第一表面和第二表面的側(cè)表面；導(dǎo)電墊，其鄰近于第一表面；第一鈍化層，其在半導(dǎo)體裸片的側(cè)表面上具有第一模量；及囊封體，其囊封半導(dǎo)體裸片、導(dǎo)電墊和第一鈍化層。本申請實(shí)施例提供的半導(dǎo)體封裝體能夠防止低k層間電介質(zhì)在半導(dǎo)體裸片邊緣處分層，從而提高封裝的可靠性。
技術(shù)領(lǐng)域
本申請實(shí)施例涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域，特別是涉及半導(dǎo)體封裝體。
背景技術(shù)
在現(xiàn)有的半導(dǎo)體封裝體中，圍繞半導(dǎo)體裸片的頂部金屬化部分的低k(lowdielectric constant，低介電常數(shù))電介質(zhì)部分具有低模量屬性，因此在半導(dǎo)體封裝操作期間易于損壞、破裂或分層。一種失效方案包括由于半導(dǎo)體裸片與環(huán)氧樹脂模塑化合物之間的熱膨脹系數(shù)(CTE)不匹配而導(dǎo)致在半導(dǎo)體裸片邊緣處的低 k層間電介質(zhì)的分層。異質(zhì)界面處的材料收縮和膨脹的差異(例如，半導(dǎo)體材料和基于環(huán)氧樹脂的模塑材料)對半導(dǎo)體裸片邊緣處的低k層間電介質(zhì)施加應(yīng)力，導(dǎo)致低模量的低k層間電介質(zhì)從其原始層剝離。半導(dǎo)體裸片邊緣處的低k層間電介質(zhì)的分層可能通過破壞頂部金屬化部分中的金屬互連和/或?qū)⒔饘倩ミB或有源區(qū)暴露于模塑化合物而導(dǎo)致半導(dǎo)體器件故障，從而降低半導(dǎo)體封裝體的可靠性。
因此，關(guān)于如何提高半導(dǎo)體封裝體的可靠性，業(yè)內(nèi)還有很多技術(shù)問題需要解決。
實(shí)用新型內(nèi)容
本申請實(shí)施例的目的之一在于提供一種半導(dǎo)體封裝體，其能夠防止低k電介質(zhì)部分分層，從而提高半導(dǎo)體封裝體的可靠性。
根據(jù)本申請的一實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體封裝體，其包括：半導(dǎo)體裸片，其具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面，及連接所述第一表面和所述第二表面的側(cè)表面；導(dǎo)電墊，其鄰近于所述第一表面；第一鈍化層，其在所述半導(dǎo)體裸片的所述側(cè)表面上且具有第一模量；及囊封體，其囊封所述半導(dǎo)體裸片、所述導(dǎo)電墊和所述第一鈍化層。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體裸片包括鄰近于所述第一表面的金屬化部分，所述金屬化部分包括導(dǎo)電線及圍繞所述導(dǎo)電線的電介質(zhì)部分，其中所述電介質(zhì)部分包括低于所述第一模量的第二模量。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述囊封體包括多個(gè)填料。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述第一鈍化層不包括填料。
在本申請的一些實(shí)施例中，其進(jìn)一步包括在所述半導(dǎo)體裸片的所述第一表面上的第二鈍化層，所述第二鈍化層連接至所述第一鈍化層。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述第一鈍化層與所述金屬化部分的所述電介質(zhì)部分接觸。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體裸片進(jìn)一步包括與所述金屬化部分堆疊的半導(dǎo)體層，所述第一鈍化層進(jìn)一步與所述半導(dǎo)體層接觸。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述第二鈍化層與所述導(dǎo)電墊實(shí)質(zhì)上共面。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述半導(dǎo)體層包括靠近所述第一表面的較窄部分和靠近所述第二表面的較寬部分，所述第一鈍化層與所述較窄部分接觸。
在本申請的一些實(shí)施例中，所述較窄部分與所述金屬化部分相接觸。
根據(jù)本申請的一實(shí)施例提供的一種半導(dǎo)體封裝體，其包括：基板，其具有頂表面及與所述頂表面相對的底表面；半導(dǎo)體裸片，其電連接到所述頂表面，其中半導(dǎo)體裸片包括實(shí)質(zhì)上垂直于所述頂表面的側(cè)表面；第一鈍化層，其在所述側(cè)表面上且具有第一模量；及囊封體，其囊封所述半導(dǎo)體裸片和所述第一鈍化層。
本申請實(shí)施例提供的半導(dǎo)體封裝體可防止低k電介質(zhì)部分分層，從而提高半導(dǎo)體封裝體的可靠性。
附圖說明
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