[實用新型]半導體封裝體

有效

• 申請號: 201921679525.7
• 申請日: 2019-10-09
• 公開（公告）號: CN210897259U
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 高榮范
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L23/485
• 分類號: H01L23/485
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 王龍

1.一種半導體封裝體，其特征在于，其包括：

半導體裸片，其具有第一表面、與所述第一表面相對的第二表面，及連接所述第一表面和所述第二表面的側表面；

導電墊，其鄰近于所述第一表面；

第一鈍化層，其在所述半導體裸片的所述側表面上且具有第一模量；及

囊封體，其囊封所述半導體裸片、所述導電墊和所述第一鈍化層。

2.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述半導體裸片包括鄰近于所述第一表面的金屬化部分，所述金屬化部分包括導電線及圍繞所述導電線的電介質部分，其中所述電介質部分包括低于所述第一模量的第二模量。

3.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述囊封體包括多個填料。

4.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，所述第一鈍化層不包括填料。

5.根據權利要求1所述的半導體封裝體，其特征在于，其進一步包括在所述半導體裸片的所述第一表面上的第二鈍化層，所述第二鈍化層連接至所述第一鈍化層。

6.根據權利要求2所述的半導體封裝體，其特征在于，所述第一鈍化層與所述金屬化部分的所述電介質部分接觸。

7.如權利要求6所述的半導體封裝體，其特征在于，所述半導體裸片進一步包括與所述金屬化部分堆疊的半導體層，所述第一鈍化層進一步與所述半導體層接觸。

8.根據權利要求5所述的半導體封裝體，其特征在于，所述第二鈍化層與所述導電墊實質上共面。

9.根據權利要求7所述的半導體封裝體，其特征在于，所述半導體層包括靠近所述第一表面的較窄部分和靠近所述第二表面的較寬部分，所述第一鈍化層與所述較窄部分接觸。

10.如權利要求9所述的半導體封裝體，其特征在于，所述較窄部分與所述金屬化部分相接觸。

11.一種半導體封裝體，其特征在于，其包括：

基板，其具有頂表面及與所述頂表面相對的底表面；

半導體裸片，其電連接到所述頂表面，其中半導體裸片包括實質上垂直于所述頂表面的側表面；

第一鈍化層，其在所述側表面上且具有第一模量；及

囊封體，其囊封所述半導體裸片和所述第一鈍化層。

12.如權利要求11所述的半導體封裝體，其特征在于，所述側表面連接所述半導體裸片的第一表面和所述半導體裸片的與所述第一表面相對的第二表面。

13.根據權利要求12所述的半導體封裝體，其特征在于，所述半導體裸片包括鄰近于所述第一表面的金屬化部分，所述金屬化部分包括導電線和圍繞所述導電線的電介質部分，其中所述電介質部分包括低于所述第一模量的第二模量。

14.根據權利要求12所述的半導體封裝體，其特征在于，其進一步包括鄰近于所述第一表面的導電墊和在所述第一表面上的第二鈍化層，所述第二鈍化層與所述導電墊實質上共面。

15.根據權利要求14所述的半導體封裝體，其特征在于，所述半導體裸片通過所述導電墊經由引線接合或倒裝芯片接合電連接到所述基板。

16.根據權利要求14所述的半導體封裝體，其特征在于，所述第一鈍化層和所述第二鈍化層由實質上相同的材料組成。

17.根據權利要求14所述的半導體封裝體，其特征在于，所述第一鈍化層的厚度和所述第二鈍化的厚度不同。