[實用新型]一種衰減片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921664344.7 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN210272616U | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發(fā)明(設計)人: | 林新強;顧亞 | 申請(專利權)人: | 深圳市禹龍通電子有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/22 | 分類號: | H01P1/22 |
| 代理公司: | 深圳冀深知識產(chǎn)權代理有限公司 44597 | 代理人: | 趙寶琴 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 衰減 | ||
本實用新型提供了一種含耦合體的衰減片包括:絕緣基板、電阻單元和導體單元,其中,該電阻單元和導體單元構成了衰減片的衰減電路,該衰減片在衰減電路中增設了耦合體并構建了耦合電路,在高頻狀態(tài)時,該耦合電路能夠進行運作,損耗能量,因此,本實用新型提供的衰減片增大了高頻狀態(tài)時的衰減電路的損耗以補償衰減電路因頻率升高導致的損耗不足部分,提高了衰減片在高頻時的衰減精度,擴大了衰減片可適用的頻率范圍。
技術領域
本實用新型涉及電子元器件技術領域,特別是涉及一種衰減片。
背景技術
目前,由于通訊、雷達等領域的電子電路的需求,有時需要將信號衰減至所需程度,衰減片是當前本領域解決這個問題常用的元器件,衰減片中的衰減電路能夠將不需要的信號吸收、消耗掉。
隨著需要衰減的信號的頻率越來越高,研究、發(fā)展大功率衰減片已經(jīng)成為如今的趨勢。現(xiàn)有技術中,高頻率的待衰減信號接入衰減片后,由于電阻的高頻特性的影響,當衰減片工作頻率高至一定值以上并不斷升高時,電阻阻抗將會不斷上升,因此,相比于同等電壓下的低頻衰減電路,高頻衰減電路的損耗功率會有所下降,衰減電路的損耗將無法達到預期數(shù)值,導致信號無法衰減至預設值。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種衰減片,旨在解決現(xiàn)有技術中的衰減片衰減高頻信號時衰減電路損耗不足的技術問題。
為了解決上述技術問題,本實用新型提供一種衰減片,其特征在于,包括:絕緣基板、電阻單元和導體單元;
上述電阻單元與上述導體單元電性連接形成衰減電路;
上述電阻單元包括設置于上述絕緣基板正面的第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻;
上述導體單元包括設置于上述絕緣基板正面的第一導體、第二導體、第三導體、第四導體、第五導體和第六導體,設置于上述絕緣基板的相對兩側面的第七導體,以及設置于上述絕緣基板背面的第八導體;
上述第一導體設置于上述絕緣基板正面的右方,上述第二導體設置于上述絕緣基板正面的左方,上述第三導體設置于上述絕緣基板正面的右上方,上述第四導體設置于上述絕緣基板的右下方,上述第五導體設置于上述絕緣基板的左上方,上述第六導體設置于上述絕緣基板的左下方,上述第一電阻設置于上述第二導體的上方、上述第五導體的下方,上述第二電阻設置于上述第二導體的下方、上述第六導體的上方,上述第三電阻設置于上述第一導體的上方、上述第三導體的下方,上述第四電阻設置于上述第一導體的下方、上述第四導體的上方,上述第五電阻設置于上述第一導體的左方、上述第二導體的右方;
上述第一導體的左部與上述第三電阻的下端、第四電阻的上端、第五電阻的右端電性連接,上述第三電阻的上端與上述第三導體的中部電性連接,上述第四電阻的下端與上述第四導體中部電性連接,上述第五電阻的左端與上述第二導體的右端電性連接,上述第二導體的上端與上述第一電阻的下端電性連接,上述第一電阻的上端與上述第五導體的下端電性連接,上述第二導體的下端與上述第二電阻的上端電性連接,上述第二電阻的下端與上述第六導體的上端電性連接,上述第七導體與上述第三導體的上端、第五導體的上端、第四導體的下端、第六導體的下端電性連接,上述第八導體與上述第七導體電性連接;
上述第一導體的右端為上述衰減電路的輸入端,上述第二導體的左端為上述衰減電路的輸出端,上述第八導體用于與外部器件連接形成接地;
其中,上述第三導體包括第一本體,以及連接于上述第一本體的左端的第一耦合體,上述第一耦合體設置于上述第五導體和上述第一電阻的右方、上述第五電阻的上方、上述第三電阻的左方處,且上述第一耦合體與上述第五導體、上述第一電阻、上述第三電阻、上述第五電阻間隔設置;上述第四導體包括第二本體,以及連接于上述第二本體的左端的第二耦合體,上述第二耦合體設置于上述第六導體和上述第二電阻的右方、上述第五電阻的下方、上述第四電阻的左方處,且上述第二耦合體與上述第六導體、上述第二電阻、上述第四電阻、上述第五電阻間隔設置。
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