[實用新型]一種衰減片有效
| 申請號: | 201921664344.7 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN210272616U | 公開(公告)日: | 2020-04-07 |
| 發明(設計)人: | 林新強;顧亞 | 申請(專利權)人: | 深圳市禹龍通電子有限公司 |
| 主分類號: | H01P1/22 | 分類號: | H01P1/22 |
| 代理公司: | 深圳冀深知識產權代理有限公司 44597 | 代理人: | 趙寶琴 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市南山*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 衰減 | ||
1.一種衰減片,其特征在于,包括:絕緣基板、電阻單元和導體單元;
所述電阻單元與所述導體單元電性連接形成衰減電路;
所述電阻單元包括設置于所述絕緣基板正面的第一電阻、第二電阻、第三電阻、第四電阻和第五電阻;
所述導體單元包括設置于所述絕緣基板正面的第一導體、第二導體、第三導體、第四導體、第五導體和第六導體,設置于所述絕緣基板的相對兩側面的第七導體,以及設置于所述絕緣基板背面的第八導體;
所述第一導體設置于所述絕緣基板正面的右方,所述第二導體設置于所述絕緣基板正面的左方,所述第三導體設置于所述絕緣基板正面的右上方,所述第四導體設置于所述絕緣基板的右下方,所述第五導體設置于所述絕緣基板的左上方,所述第六導體設置于所述絕緣基板的左下方,所述第一電阻設置于所述第二導體的上方、所述第五導體的下方,所述第二電阻設置于所述第二導體的下方、所述第六導體的上方,所述第三電阻設置于所述第一導體的上方、所述第三導體的下方,所述第四電阻設置于所述第一導體的下方、所述第四導體的上方,所述第五電阻設置于所述第一導體的左方、所述第二導體的右方;
所述第一導體的左部與所述第三電阻的下端、第四電阻的上端、第五電阻的右端電性連接,所述第三電阻的上端與所述第三導體的中部電性連接,所述第四電阻的下端與所述第四導體中部電性連接,所述第五電阻的左端與所述第二導體的右端電性連接,所述第二導體的上端與所述第一電阻的下端電性連接,所述第一電阻的上端與所述第五導體的下端電性連接,所述第二導體的下端與所述第二電阻的上端電性連接,所述第二電阻的下端與所述第六導體的上端電性連接,所述第七導體與所述第三導體的上端、第五導體的上端、第四導體的下端、第六導體的下端電性連接,所述第八導體與所述第七導體電性連接;
所述第一導體的右端為所述衰減電路的輸入端,所述第二導體的左端為所述衰減電路的輸出端,所述第八導體用于與外部器件連接形成接地;
其中,所述第三導體包括第一本體,以及連接于所述第一本體的左端的第一耦合體,所述第一耦合體設置于所述第五導體和所述第一電阻的右方、所述第五電阻的上方、所述第三電阻的左方處,且所述第一耦合體與所述第五導體、所述第一電阻、所述第三電阻、所述第五電阻間隔設置;所述第四導體包括第二本體,以及連接于所述第二本體的左端的第二耦合體,所述第二耦合體設置于所述第六導體和所述第二電阻的右方、所述第五電阻的下方、所述第四電阻的左方處,且所述第二耦合體與所述第六導體、所述第二電阻、所述第四電阻、所述第五電阻間隔設置。
2.如權利要求1所述的衰減片,其特征在于,所述衰減片還包括輸入焊盤和輸出焊盤,所述輸入焊盤設置于所述衰減電路的輸入端上,所述輸出焊盤設置于所述衰減電路的輸出端上。
3.如權利要求2所述的衰減片,其特征在于,所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻、所述第四電阻和所述第五電阻的露出于所述絕緣基板的表面上設置有玻璃保護膜。
4.如權利要求3所述的衰減片,其特征在于,所述第一導體、所述第二導體、所述第三導體、所述第四導體、所述第五導體、所述第六導體和所述玻璃保護膜的上表面設置有黑色保護膜。
5.如權利要求4所述的衰減片,其特征在于,所述黑色保護膜為酚醛環氧樹脂、雙酚A環氧樹脂、胺基甲酸酯或聚酰亞胺中的任一種。
6.如權利要求4所述的衰減片,其特征在于,所述第一電阻、所述第二電阻、所述第三電阻、所述第四電阻和所述第五電阻均為氧化釕電阻層。
7.如權利要求6所述的衰減片,其特征在于,所述第一導體、所述第二導體、所述第三導體、所述第四導體、所述第五導體、所述第六導體、所述第七導體和所述第八導體均為金導體層或銀導體層。
8.如權利要求1至7任一項所述的衰減片,其特征在于,所述絕緣基板為陶瓷基板、絕緣玻璃基板、金剛石基板或碳化硅基板中的任一種。
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