[實用新型]一種晶片承載盤

有效

• 申請號: 201921662469.6
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN211112207U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 劉凱;劉慰華;程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458;C30B25/12;H01L21/673
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

本申請提供了晶片承載盤，涉及半導體制造領域。所述晶片承載盤包括至少一個凹槽，該凹槽包括第一內壁；第二內壁，設于相鄰兩個所述第一內壁之間；以及片托，設置于所述第二內壁處。本申請中的晶片承載盤可解決晶片2中心區域和邊緣區域受熱不均的問題，晶片2的波長均勻性更好。

技術領域

本申請涉及半導體制備領域，具體而言，涉及一種晶片承載盤。

背景技術

外延晶片的一般制備過程主要包括：將襯底放入晶片承載盤的凹槽中，連同晶片承載盤一起放入MOCVD反應室，通過設置溫度、通入氣體等，在襯底上生長其它外延層，以得到需要的晶片結構。

圖1所示為現有的晶片承載盤的示意圖，晶片承載盤10包括3個凹槽11，其中1個凹槽中放置了晶片2。圖2所示為圖1中A-A’截面處的結構示意圖，晶片2至于凹槽11中時，晶片2的邊緣會與晶片承載盤10的盤體相互接觸。

實用新型內容

本申請發明人發現，用圖1及圖2所示的現有技術中的晶片承載盤10制備晶片2的過程中，晶片2的邊緣處會受到熱輻射能的影響，同時由于晶片2的邊緣處與晶片承載盤10直接接觸，晶片2的邊緣處也會受到傳導熱的影響，而晶片2的中心只受到熱輻射能的影響。制備晶片2過程中，晶片2中心區域和邊緣區域受熱不均，會嚴重導致晶片2的波長不均勻。

為解決上述問題，本申請提出了提供一種晶片承載盤，在本申請一實施例中，該晶片承載盤，包括至少一個凹槽，其中所述凹槽包括：多個第一內壁；第二內壁，設于相鄰兩個第一內壁之間；以及片托，設置于第二內壁處。

在本申請一實施例中，所述第二內壁到凹槽中心的距離小于第一內壁到凹槽中心的距離。

在本申請一實施例中，晶片承載盤的材料為石墨。

在本申請一實施例中，單個凹槽中，第一內壁的總長度大于第二內壁的總長度。

本申請提出的晶片承載盤，能夠解決晶片2中心區域和邊緣區域受熱不均的問題，晶片2的波長均勻性更好。

為使本申請的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。通過附圖所示，本申請的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本申請的主旨。

圖1所示為現有的晶片承載盤的示意圖。

圖2所示為圖1中A-A’截面處的結構示意圖。

圖3所示為本申請一實施例中的晶片承載盤的俯視圖。

圖4a所示為圖3中B-B’截面處的結構示意圖，圖4b所示為圖3中C-C’截面處的結構示意圖。

圖5是本申請一實施例中的晶片承載盤放置晶片的示意圖。

圖6所示為圖5中D-D’截面處的結構示意圖。

圖7為本申請另一實施例中晶片承載盤的示意圖。

圖8為本申請另一實施例中晶片承載盤的示意圖。

圖9為本申請另一實施例中晶片承載盤的示意圖。

具體實施方式