[實用新型]一種晶片承載盤有效
| 申請號: | 201921662469.6 | 申請日: | 2019-09-30 |
| 公開(公告)號: | CN211112207U | 公開(公告)日: | 2020-07-28 |
| 發明(設計)人: | 劉凱;劉慰華;程凱 | 申請(專利權)人: | 蘇州晶湛半導體有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/458 | 分類號: | C23C16/458;C30B25/12;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505 | 代理人: | 孟潭 |
| 地址: | 215123 江蘇省蘇州市蘇州工*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶片 承載 | ||
【權利要求書】:
1.一種晶片承載盤,包括至少一個凹槽,其特征在于,所述凹槽包括:
多個第一內壁;
第二內壁,設于相鄰兩個所述第一內壁之間;以及
片托,設置于所述第二內壁處;其中所述第二內壁到所述凹槽中心的距離小于所述第一內壁到所述凹槽中心的距離。
2.根據權利要求1所述的晶片承載盤,其特征在于:所述晶片承載盤的材料為石墨。
3.根據權利要求1所述的晶片承載盤,其特征在于:單個所述凹槽中,所述第一內壁的總長度大于所述第二內壁的總長度。
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C23 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面化學處理;金屬材料的擴散處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆;金屬材料腐蝕或積垢的一般抑制
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的
C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





