[實用新型]一種晶片承載盤

有效

• 申請號: 201921662468.1
• 申請日: 2019-09-30
• 公開（公告）號: CN211112316U
• 公開（公告）日: 2020-07-28
• 發明（設計）人: 劉慰華;劉凱;程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: C30B25/12
• 分類號: C30B25/12;C23C16/458
• 代理公司: 北京布瑞知識產權代理有限公司 11505
• 代理人: 孟潭

本申請提供了晶片承載盤，涉及半導體制造領域。所述晶片承載盤包括至少一個凹槽，該凹槽包括第一內壁；第二內壁，設于相鄰兩個所述第一內壁之間；以及片托，設置于所述第二內壁處。本申請中的晶片承載盤可解決晶片2中心區域和邊緣區域受熱不均的問題，晶片2的波長均勻性更好。

技術領域

本申請涉及半導體制備領域，具體而言，涉及一種晶片承載盤。

背景技術

外延晶片的一般制備過程主要包括：將襯底放入晶片承載盤的凹槽，連同晶片承載盤一起放入MOCVD反應室，通過設置溫度、通入氣體等在襯底上生長其它外延層，以得到需要的晶片結構。

圖1所示為現有的晶片承載盤的示意圖，晶片承載盤10包括3個凹槽 11，其中1個凹槽中放置了晶片2。圖2所示為圖1中A-A’截面處的結構示意圖，晶片2至于凹槽11中時，晶片2的邊緣會與晶片承載盤10的盤體相互接觸。

實用新型內容

本申請發明人發現，用圖1及圖2所示的現有技術中的晶片承載盤10制備晶片2的過程中，一方面晶片2的邊緣處會受到熱輻射能的影響，另一方面由于晶片2的邊緣處與晶片承載盤10直接接觸，晶片2的邊緣處也會受到傳導熱的影響；晶片2的中心只受到熱輻射能的影響。如此，制備晶片2過程中，晶片2中心區域和邊緣區域受熱不均，會嚴重導致晶片2的波長不均勻。

為解決上述問題，本申請提出了提供一種晶片承載盤，在本申請一實施例中，該晶片承載盤，包括至少一個凹槽，其中所述凹槽包括：多個第一內壁；第二內壁，設于相鄰兩個第一內壁之間；以及片托，設置于第二內壁處。其中所述第一內壁到所述凹槽中心的距離小于所述第二內壁到所

述凹槽的距離，且所述片托到所述凹槽中心的距離小于所述第一內壁到所述凹槽中心的距離。

在本申請一實施例中，晶片承載盤的材料為石墨。

在本申請一實施例中，單個凹槽中，第一內壁的總長度大于第二內壁的總長度。

本申請提出的晶片承載盤，能夠解決晶片2中心區域和邊緣區域受熱不均的問題，晶片2的波長均勻性更好。

為使本申請的上述和其他目的、特征和優點能更明顯易懂，下文特舉較佳實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。通過附圖所示，本申請的上述及其它目的、特征和優勢將更加清晰。在全部附圖中相同的附圖標記指示相同的部分。并未刻意按實際尺寸等比例縮放繪制附圖，重點在于示出本申請的主旨。

圖1所示為現有的晶片承載盤的示意圖。

圖2所示為圖1中A-A’截面處的結構示意圖。

圖3所示為本申請一實施例中的晶片承載盤的俯視圖。

圖4所示為圖3中B-B’截面處的結構示意圖和圖3中C-C’截面處的結構示意圖。

圖5是本申請一實施例中的晶片承載盤放置晶片的示意圖。

圖6所示為圖5中D-D’截面處和E-E’截面處的結構示意圖。

圖7為本申請另一實施例中晶片承載盤的示意圖。

圖8為本申請另一實施例中晶片承載盤的示意圖。

圖9為本申請另一實施例中晶片承載盤的示意圖。

具體實施方式