[實用新型]一種重新布線層

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201921628497.6
• 申請日: 2019-09-27
• 公開（公告）號: CN210403718U
• 公開（公告）日: 2020-04-24
• 發(fā)明（設計）人: 尹佳山;周祖源;吳政達;林正忠
• 申請（專利權）人: 中芯長電半導體（江陰）有限公司
• 主分類號: H01L23/538
• 分類號: H01L23/538;H01L21/768
• 代理公司: 上海光華專利事務所(普通合伙) 31219
• 代理人: 余明偉

本實用新型提供一種重新布線層，所述重新布線層包括：覆蓋于襯底上表面的聚酰亞胺層；位于所述聚酰亞胺層表面的圖形化的擴散阻擋層和位于所述擴散阻擋層表面的金屬種子層；位于所述金屬種子層表面的金屬電極層；將所述金屬電極層電引出的鍵合線。本實用新型在重新布線層中，增加聚酰亞胺層，使得經(jīng)過化學機械拋光后的襯底表面更加平整，從而減少金焊盤因襯底粗糙而導致的表面缺陷，提高鍵合良率。

技術領域

本實用新型涉及半導體技術封裝領域，尤其涉及一種重新布線層。

背景技術

晶圓級封裝技術將整個晶圓作為封裝和測試對象，然后切割成單個成品芯片，該工藝順序不同于傳統(tǒng)的芯片封裝。晶圓級填料的模具尺寸比傳統(tǒng)填料小約 20％。因此，晶圓級封裝芯片的體積與裸芯片的尺寸幾乎相同，這可以大大減小封裝芯片尺寸。

對于多層堆疊的封裝結構，涉及到多次塑封和多次重新布線層的制備，于塑封層上再次制備重新布線時，往往晶圓上已形成了較厚的塑封層，而經(jīng)過化學機械拋光后的塑封層，因表面較為粗糙，會影響在此基礎上形成的焊盤的平整性，甚至會造成焊盤表面的缺陷或者是鍵合失敗。

因此，如何提高重新布線層的焊盤表面平整度以及鍵合良率是本領域技術人員亟需解決的問題。

實用新型內容

鑒于以上所述現(xiàn)有技術的缺點，本實用新型的目的在于提出一種重新布線層，用于解決現(xiàn)有技術中因襯底不平而導致的金焊盤表面缺陷以及鍵合失效的問題。

為實現(xiàn)上述目的及其他相關目的，本實用新型提供一種重新布線層，所述重新布線層包括：

覆蓋于襯底上表面的聚酰亞胺層；

位于所述聚酰亞胺層表面的圖形化的擴散阻擋層和位于所述擴散阻擋層表面的金屬種子層；

位于所述金屬種子層表面的金屬電極層；

將所述金屬電極層電引出的鍵合線。

可選地，所述襯底為經(jīng)過化學機械拋光后的塑封晶圓。

可選地，所述聚酰亞胺層的厚度為5～10μm。

可選地，聚酰亞胺層的粗糙度為1～3μm。

可選地，所述聚酰亞胺層與所述擴散阻擋層之間還有一硅層。

可選地，所述硅層的厚度為5～10μm。

如上所述，本實用新型在重新布線層中，增加聚酰亞胺層，使得經(jīng)過化學機械拋光后的襯底表面更加平整，從而減少金焊盤因襯底粗糙而導致的表面缺陷，提高鍵合良率。

附圖說明

圖1顯示為本實用新型重新布線層制備方法的流程圖。

圖2顯示為實施例中襯底的示意圖。

圖3顯示為實施例中于襯底上表面形成聚酰亞胺層的示意圖。

圖4顯示為實施例中于襯底上表面形成擴散阻擋層以及金屬種子層的示意圖。

圖5顯示為實施例中于金屬種子層上表面形成光刻膠層的示意圖。

圖6顯示為實施例中形成金屬電極層的示意圖。

圖7顯示為實施例中去除光刻膠層的示意圖。

圖8顯示為實施例中去除金屬種子層和擴散阻擋層的示意圖。

圖9顯示為實施例中鍵合線鍵合的示意圖。

元件標號說明

10 襯底

11 晶圓