[實(shí)用新型]芯片省二次光刻蒸發(fā)用的保護(hù)擋片有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201921616504.0 | 申請(qǐng)日: | 2019-09-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN210796602U | 公開(公告)日: | 2020-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 周新華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 襄陽賽普爾電子有限公司 |
| 主分類號(hào): | C23C14/04 | 分類號(hào): | C23C14/04;C23C14/24;C23C14/18 |
| 代理公司: | 上海精晟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31253 | 代理人: | 周瓊 |
| 地址: | 441000 湖北省襄*** | 國(guó)省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 芯片 二次 光刻 蒸發(fā) 保護(hù) | ||
1.芯片省二次光刻蒸發(fā)用的保護(hù)擋片,其特征在于,包括設(shè)于芯片(5)上的硅片(7)一側(cè)的擋片本體(1),所述擋片本體(1)包括外部的環(huán)形支撐片(2)和中間用于遮住芯片(5)上光刻圖案(6)的遮擋部(3),所述中間的遮擋部(3)與外部的環(huán)形支撐片(2)之間通過若干條凸起的筋(4)連接在一起。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片省二次光刻蒸發(fā)用的保護(hù)擋片,其特征在于,所述中間的遮擋部(3)與外部的環(huán)形支撐片(2)在同一平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片省二次光刻蒸發(fā)用的保護(hù)擋片,其特征在于,所述芯片(5)包括鉬片(9)、硅片(7)及設(shè)于所述鉬片(9)、硅片(7)之間的鋁箔(8),所述硅片(7)上還設(shè)有用于放置擋片本體(1)的定位環(huán),當(dāng)所述擋片本體(1)放在定位環(huán)內(nèi)時(shí),所述擋片本體(1)的各個(gè)側(cè)壁均與所述定位環(huán)的環(huán)壁緊密貼合。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-2任意一項(xiàng)所述的芯片省二次光刻蒸發(fā)用的保護(hù)擋片,其特征在于,所述中間的遮擋部(3)與外部的環(huán)形支撐片(2)之間通過三條凸起的筋(4)連接在一起。
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C23C 對(duì)金屬材料的鍍覆;用金屬材料對(duì)材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





