[實用新型]用于多晶硅還原爐的導流裝置及具有其的還原爐

有效

• 申請號: 201921613616.0
• 申請日: 2019-09-25
• 公開（公告）號: CN210825445U
• 公開（公告）日: 2020-06-23
• 發明（設計）人: 杜俊平;張鵬遠;張超
• 申請（專利權）人: 洛陽中硅高科技有限公司;中國恩菲工程技術有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 北京清亦華知識產權代理事務所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

本實用新型公開了一種用于多晶硅還原爐的導流裝置及具有其的還原爐，所述還原爐具有進氣口、出氣口以及底盤，所述出氣口形成在所述還原爐的底盤中心，所述導流裝置包括：導流罩，導流罩的頂部封閉以阻止氣流垂直進入底盤而造成還原爐內氣體湍流；支撐件，支撐件沿豎向延伸，所述支撐件的上端與所述導流罩相連且下端與所述底盤相連；支撐件上形成有連通所述出氣口的過氣部。根據本實用新型的用于多晶硅還原爐的導流裝置，在不更換或改造還原爐的底盤的情況下，通過導流罩和過氣部對原有還原爐內氣體進行導流，可以大幅度優化還原爐內的流場，消除還原爐內因為進氣口、出氣口均垂直于還原爐的底盤而造成的進料氣和尾氣氣體的相互對流、湍流情況。

技術領域

本實用新型涉及多晶硅制造技術領域，尤其是涉及一種用于多晶硅還原爐的導流裝置以及設有上述用于多晶硅還原爐的導流裝置的還原爐。

背景技術

相關技術中，多晶硅生產領域中，多晶硅還原爐是生產多晶硅的核心裝置，其作用是將三氯氫硅或者四氯化硅氣體與氫氣混合后在還原爐內進行還原和熱分解反應，并且在多晶硅載體表面進行沉積生長，從而得到高純度的多晶硅產品。而還原爐內的氣體流場對于載體表面的反應溫度、分子碰撞晶體的密度以及對于結晶速度等各種反應條件影響非常大。所以保證還原爐內流場的均勻、對稱性是保證多晶硅生長可控的主要條件之一，也是還原爐設計的主要依據。而目前的各種類型多晶硅還原爐均存在硅棒頂部多晶硅生長疏松的情況，主要原因就是爐內流場出現湍流、對流等情況。要解決流場問題，就需要對還原爐的進氣口、出氣口的設計進行改進。

實用新型內容

本實用新型旨在至少解決現有技術中存在的技術問題之一。為此，本實用新型的一個目的在于提出一種用于多晶硅還原爐的導流裝置，所述用于多晶硅還原爐的導流裝置有利于改善還原爐內氣體流場，保證多晶硅的生產質量。

本實用新型的另一個目的在于提出一種還原爐，所述還原爐包括上述用于還原爐的導流裝置。

根據本實用新型第一方面實施例的用于多晶硅還原爐的導流裝置，所述還原爐具有進氣口、出氣口以及底盤，所述出氣口形成在所述還原爐的底盤中心，所述導流裝置包括：導流罩，所述導流罩的頂部封閉以阻止氣流垂直進入所述底盤而造成還原爐內氣體湍流；支撐件，所述支撐件沿豎向延伸，所述支撐件的上端與所述導流罩相連且下端與所述底盤相連；其中，所述支撐件上形成有連通所述出氣口的過氣部。

根據本實用新型實施例的用于多晶硅還原爐的導流裝置，在不更換或改造還原爐的底盤的情況下，通過導流罩和過氣部對原有還原爐內氣體進行導流，可以大幅度優化還原爐內的流場，消除還原爐內因為進氣口、出氣口均垂直于還原爐的底盤而造成的進料氣和尾氣氣體的相互對流、湍流情況。

另外，根據本實用新型上述實施例的用于還原爐的導流裝置還具有如下附加的技術特征：

根據本實用新型的一些實施例，所述導流罩被構造成方形、橢圓形或半球形。

根據本實用新型的一些實施例，所述過氣部被構造成過氣孔。

進一步地，所述過氣孔被構造成圓形、橢圓形或多邊形。

在本實用新型的一些實施例中，所述支撐件被構造成支撐柱，所述支撐柱包括多個，多個支撐柱在所述導流罩的底部間隔開設置，相鄰兩個所述支撐柱之間限定出所述過氣孔。

可選地，所述支撐件被構造成支撐板，所述支撐板包括多個，多個支撐板在所述導流罩的底部間隔開設置，相鄰兩個所述支撐板之間限定出所述過氣孔。

在本實用新型的一些實施例中，所述支撐件被構造成支撐環，所述支撐環上形成有所述過氣孔。

根據本實用新型的一些實施例，所述導流裝置為耐腐蝕耐高溫材料件。

進一步地，所述導流裝置為合金鋼材料件。

根據本實用新型的一些實施例，所述過氣部的開口面積不小于所述出氣口的面積。