[實(shí)用新型]用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置及具有其的還原爐

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201921613616.0
• 申請(qǐng)日: 2019-09-25
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN210825445U
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 杜俊平;張鵬遠(yuǎn);張超
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 洛陽(yáng)中硅高科技有限公司;中國(guó)恩菲工程技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): C01B33/035
• 分類號(hào): C01B33/035
• 代理公司: 北京清亦華知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11201
• 代理人: 宋合成

1.一種用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述還原爐具有進(jìn)氣口、出氣口以及底盤(pán)，所述出氣口形成在所述還原爐的底盤(pán)中心，所述導(dǎo)流裝置包括：

導(dǎo)流罩，所述導(dǎo)流罩的頂部封閉以阻止氣流垂直進(jìn)入所述底盤(pán)而造成還原爐內(nèi)氣體湍流；

支撐件，所述支撐件沿豎向延伸，所述支撐件的上端與所述導(dǎo)流罩相連且下端與所述底盤(pán)相連；

其中，所述支撐件上形成有連通所述出氣口的過(guò)氣部。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流罩被構(gòu)造成方形、橢圓形或半球形。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述過(guò)氣部被構(gòu)造成過(guò)氣孔。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述過(guò)氣孔被構(gòu)造成圓形、橢圓形或多邊形。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述支撐件被構(gòu)造成支撐柱，所述支撐柱包括多個(gè)，多個(gè)支撐柱在所述導(dǎo)流罩的底部間隔開(kāi)設(shè)置，相鄰兩個(gè)所述支撐柱之間限定出所述過(guò)氣孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述支撐件被構(gòu)造成支撐板，所述支撐板包括多個(gè)，多個(gè)支撐板在所述導(dǎo)流罩的底部間隔開(kāi)設(shè)置，相鄰兩個(gè)所述支撐板之間限定出所述過(guò)氣孔。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述支撐件被構(gòu)造成支撐環(huán)，所述支撐環(huán)上形成有所述過(guò)氣孔。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流裝置為耐腐蝕耐高溫材料件。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述導(dǎo)流裝置為合金鋼材料件。

10.根據(jù)權(quán)利要求1-9中任一項(xiàng)所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置，其特征在于，所述過(guò)氣部的開(kāi)口面積不小于所述出氣口的面積。

11.一種還原爐，其特征在于，包括根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)所述的用于多晶硅還原爐的導(dǎo)流裝置。