[實用新型]面板組件、晶圓封裝體以及芯片封裝體有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921611779.5 | 申請日: | 2019-09-26 |
| 公開(公告)號: | CN210607192U | 公開(公告)日: | 2020-05-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周輝星 | 申請(專利權(quán))人: | PEP創(chuàng)新私人有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/31;H01L23/485 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105 | 代理人: | 焦玉恒 |
| 地址: | 新加坡*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 面板 組件 封裝 以及 芯片 | ||
1.一種面板組件,其特征在于,包括:
至少一個晶圓,所述晶圓包括彼此相對的第一面和第二面以及連接所述第一面和所述第二面的側(cè)面,所述第一面為活性面;
連接部,位于所述晶圓的側(cè)面且連接到所述晶圓,所述連接部包括與所述晶圓的第一面位于同一側(cè)的第三面和與所述晶圓的第二面位于同一側(cè)的第四面,所述第三面與所述第一面形成所述面板組件的待處理面;以及
第一介電層,至少位于所述晶圓的第一面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板組件,其特征在于,所述第一介電層的表面與所述連接部的第三面大致位于同一平面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板組件,其特征在于,所述連接部的第三面與所述晶圓的第一面大致位于同一平面,所述第一介電層位于所述面板組件的待處理面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板組件,其特征在于,包括彼此分隔設(shè)置的多個晶圓。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-4任一項所述的面板組件,其特征在于,還包括:導(dǎo)電層,位于所述待處理面上,且位于所述第一介電層遠(yuǎn)離所述晶圓的一側(cè)。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的面板組件,其特征在于,所述第一介電層中包括通孔,以露出所述晶圓的第一面上的焊墊。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的面板組件,其特征在于,所述導(dǎo)電層包括位于所述晶圓的第一面上的有效導(dǎo)電層以及位于所述連接部的第三面上的虛設(shè)導(dǎo)電層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的面板組件,其特征在于,所述虛設(shè)導(dǎo)電層至少形成在圍繞所述晶圓的環(huán)狀區(qū)域內(nèi),且所述環(huán)狀區(qū)域的寬度大于5mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板組件,其特征在于,還包括導(dǎo)電件,從所述連接部的第三面露出,位于所述面板組件的周邊區(qū)域且與所述晶圓間隔。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板組件,其特征在于,所述連接部包括位于所述晶圓的側(cè)面的第一部分和位于所述晶圓的第二面的第二部分,所述第一部分和所述第二部分一體連接。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的面板組件,其特征在于,所述連接部包括塑封層。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的面板組件,其特征在于,所述連接部包括具有貫通的開口的型腔模,所述晶圓位于所述開口內(nèi),且所述開口的側(cè)壁與所述晶圓的側(cè)面之間的縫隙設(shè)置有固定材料以使所述晶圓與所述型腔模連接在一起。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的面板組件,其特征在于,所述型腔模的材料包括導(dǎo)電材料。
14.根據(jù)權(quán)利要求5所述的面板組件,其特征在于,還包括:第二介電層,位于所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述晶圓的一側(cè),且覆蓋所述導(dǎo)電層的至少一部分。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的面板組件,其特征在于,所述連接部的位于所述晶圓的第二面的第二部分具有預(yù)定的材料和厚度以減緩或消除所述面板組件的翹曲。
16.一種晶圓封裝體,其特征在于,包括:
晶圓,包括彼此相對的第一面和第二面以及連接所述第一面和所述第二面的側(cè)面,所述第一面為活性面;
塑封層,位于所述晶圓的側(cè)面和第二面的至少之一;
第一介電層,位于所述晶圓的第一面。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的晶圓封裝體,其特征在于,還包括:導(dǎo)電層,位于所述第一介電層的遠(yuǎn)離所述晶圓的一側(cè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的晶圓封裝體,其特征在于,還包括:第二介電層,位于所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述晶圓的一側(cè),以覆蓋至少部分所述導(dǎo)電層。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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