[實用新型]電容器有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201921569163.6 | 申請日: | 2019-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN210778270U | 公開(公告)日: | 2020-06-16 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | M·布夫尼徹爾 | 申請(專利權(quán))人: | 意法半導(dǎo)體(圖爾)公司 |
| 主分類號: | H01G4/30 | 分類號: | H01G4/30;H01G4/38;H01G4/005;H01G4/06;H01G4/224 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 傅遠(yuǎn) |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 電容器 | ||
本公開的實施例涉及電容器。一種垂直電容器,包括共形地覆蓋第一材料的壁的層的堆疊。壁從由第二材料制成的基板延伸,第二材料與第一材料不同。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開總體上涉及電子部件,更具體地,涉及電容器。
背景技術(shù)
電容器是存在于電子電路中的部件。電容器是電子部件,通常包括由絕緣層隔開的兩個電極。
在電子部件小型化的背景下,目前希望增加針對給定基板表面區(qū)域所獲得的電容。
實用新型內(nèi)容
本公開的實施例使得能夠克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點中的至少一些缺點。
本公開的實施例提供了一種垂直電容器,其包括共形地覆蓋第一材料的至少壁的層的堆疊,該壁從由第二材料制成的基板延伸,第二材料與第一材料不同。
根據(jù)實施例,層的堆疊進一步在壁之間在基板上延伸并且覆蓋所述基板。
根據(jù)實施例,第一材料是氧化硅。
根據(jù)實施例,該堆疊包括絕緣層和導(dǎo)電層的交替,堆疊的下層和上層是導(dǎo)電層。
根據(jù)實施例,在俯視圖中,每個壁形成幾何形狀的輪廓。
根據(jù)實施例,堆疊在幾何形狀的輪廓的內(nèi)部和外部延伸。
根據(jù)實施例,輪廓內(nèi)的基板覆蓋有由第一材料制成的層。
根據(jù)實施例,堆疊在壁的至少一部分的兩個相對側(cè)上延伸。
根據(jù)實施例,每個壁的最小尺寸小于150nm。
根據(jù)實施例,第二材料是能夠被氧化的材料。
本公開的實施例可以能夠增加給定基板表面區(qū)域上的電容器的電容。
在以下結(jié)合附圖的特定實施例的非限制性描述中對前述和其他特征和優(yōu)點進行詳細(xì)討論。
附圖說明
圖1A和圖1B示意性地且部分地示出了根據(jù)本公開的實施例的兩個電容器;
圖2A至圖2C以俯視圖示出了圖1A和圖1B的結(jié)構(gòu)的部分的示例;
圖3A和圖3B示意性地且部分地示出了由根據(jù)本公開的電容器制造方法的實施例的步驟產(chǎn)生的兩個結(jié)構(gòu);
圖4A和圖4B部分地且示意性地示出了由電容器制造方法的實施例的其他步驟產(chǎn)生的兩個結(jié)構(gòu);
圖5示意性地且部分地示出了由電容器制造方法的實施例的步驟產(chǎn)生的結(jié)構(gòu);以及
圖6示意性地且部分地示出了通過實施圖3A、圖3B、圖4A、圖4B和圖5的方法獲得的電容器的另一示例。
具體實施方式
在不同的附圖中,相同的元件用相同的附圖標(biāo)記表示。具體地,不同實施例共有的結(jié)構(gòu)和/或功能元件可以用相同的附圖標(biāo)記表示,并且可以具有相同的結(jié)構(gòu)、尺寸和材料特性。
為了清楚起見,僅示出了并且詳細(xì)描述了對理解所描述的實施例有用的那些步驟和元件。
在整個本公開中,術(shù)語“連接”被用于表示電路元件之間的直接電連接,而沒有除導(dǎo)體之外的中間元件,而術(shù)語“耦合”被用于表示電路元件之間的電連接,其可以是直接的,也可以是通過一個或多個中間元件。除非另有說明,否則當(dāng)術(shù)語“耦合”被使用時,連接可以通過直接連接來實現(xiàn)。
在以下描述中,當(dāng)參考限定絕對位置(諸如術(shù)語“前”、“后”、“頂部”、“底部”、“左”、“右”等)或相對位置(諸如術(shù)語“上方”、“下方”、“上部”、“下部”等)的術(shù)語或限定方向(諸如術(shù)語“水平”、“垂直”等)的術(shù)語時,除非另有說明,否則參考圖的方位。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于意法半導(dǎo)體(圖爾)公司,未經(jīng)意法半導(dǎo)體(圖爾)公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921569163.6/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。





