[實用新型]電容器有效
| 申請號： | 201921569163.6 | 申請日： | 2019-09-20 |
| 公開（公告）號： | CN210778270U | 公開（公告）日： | 2020-06-16 |
| 發明（設計）人： | M·布夫尼徹爾 | 申請（專利權）人： | 意法半導體(圖爾)公司 |
| 主分類號： | H01G4/30 | 分類號： | H01G4/30;H01G4/38;H01G4/005;H01G4/06;H01G4/224 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 傅遠 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電容器 | ||
【權利要求書】：
1.一種垂直電容器，其特征在于，包括共形地覆蓋至少第一材料的壁的層的堆疊，所述壁從由第二材料制成的基板延伸，所述第二材料與所述第一材料不同。
2.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中所述層的堆疊進一步在所述壁之間的所述基板上延伸并且覆蓋所述基板。
3.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中所述第一材料是氧化硅。
4.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中所述堆疊包括絕緣層和導電層的交替，所述堆疊的下層和上層是導電層。
5.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中每個壁在俯視圖中形成幾何形狀的輪廓。
6.根據權利要求5所述的電容器，其特征在于，其中所述堆疊在所述幾何形狀的所述輪廓的內部和外部延伸。
7.根據權利要求5所述的電容器，其特征在于，其中所述輪廓內的所述基板覆蓋有由所述第一材料制成的層。
8.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中所述堆疊在所述壁的至少一部分的兩個相對側之上延伸。
9.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中每個壁的最小尺寸小于150nm。
10.根據權利要求1所述的電容器，其特征在于，其中所述第二材料是能夠被氧化的材料。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于意法半導體(圖爾)公司，未經意法半導體(圖爾)公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201921569163.6/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
