[實用新型]一種鉆石晶體生長裝置

有效

• 申請號: 201921543627.6
• 申請日: 2019-09-17
• 公開（公告）號: CN210529107U
• 公開（公告）日: 2020-05-15
• 發明（設計）人: 張新峰;王煒
• 申請（專利權）人: 江蘇卓遠半導體有限公司
• 主分類號: C30B29/04
• 分類號: C30B29/04;C30B23/00
• 代理公司: 成都明濤智創專利代理有限公司 51289
• 代理人: 丁國勇

本實用新型涉及晶體生長裝置技術領域，且公開了一種鉆石晶體生長裝置，包括隔熱層，所述隔熱層底部的四周均固定安裝有支撐桿，所述隔熱層的底部固定安裝有驅動電機，所述驅動電機的輸出軸固定安裝有一端貫穿并延伸至隔熱層內部的轉桿，所述轉桿的頂部固定安裝有石英管爐體，所述石英管爐體的外表面固定安裝有環形加熱管，所述隔熱層內腔底部的左右兩端均固定安裝有滾珠，所述滾珠的頂部與石英管爐體的底部活動連接。該鉆石晶體生長裝置，通過上下移動水冷環和轉動晶體，達到調節晶體溫度梯度的目的，無需手動調整，自動化程度高，省時省力，一定程度上保障了最終鉆石晶體的合格率，方便使用，適用于各種情況。

技術領域

本實用新型涉及晶體生長裝置技術領域，具體為一種鉆石晶體生長裝置。

背景技術

通常用于碳化硅襯底的晶體生長方法是物理氣象傳輸法，通過此方法已經可以生產出質量很好的晶片，目前市場上已經有直徑6英寸的商用碳化硅襯底晶片，對于大尺寸高質量的碳化硅晶體的生長，晶體的溫度梯度的調節就更加重要。

晶體的種類多樣且型號大不相同，目前市面上現有的鉆石晶體生長裝置存在著不便于控制晶體溫度梯度的缺點，在使用時，由于鉆石晶體生長過程中的溫度梯度的控制對晶體的形態和質量有關鍵性的影響，該裝置不便于調節晶體的溫度梯度，導致最終的鉆石晶體成品質量不合格，影響客戶的使用，故而提出以上一種鉆石晶體生長裝置以解決上述問題。

實用新型內容

(一)解決的技術問題

針對現有技術的不足，本實用新型提供了一種鉆石晶體生長裝置，具備便于控制晶體溫度梯度等優點，解決了在使用時，由于鉆石晶體生長過程中的溫度梯度的控制對晶體的形態和質量有關鍵性的影響，該裝置不便于調節晶體的溫度梯度，導致最終的鉆石晶體成品質量不合格，影響客戶的使用的問題。

(二)技術方案

為實現上述便于控制晶體溫度梯度的目的，本實用新型提供如下技術方案：一種鉆石晶體生長裝置，包括隔熱層，所述隔熱層底部的四周均固定安裝有支撐桿，所述隔熱層的底部固定安裝有驅動電機，所述驅動電機的輸出軸固定安裝有一端貫穿并延伸至隔熱層內部的轉桿，所述轉桿的頂部固定安裝有石英管爐體，所述石英管爐體的外表面固定安裝有環形加熱管，所述隔熱層內腔底部的左右兩端均固定安裝有滾珠，所述滾珠的頂部與石英管爐體的底部活動連接，所述石英管爐體內腔的底部固定安裝有放置架，所述石英管爐體外表面的頂部固定安裝有一端貫穿并延伸至隔熱層內壁的穩定環，所述隔熱層頂部的左右兩端均固定安裝有豎桿，兩個所述豎桿相對一側之間的頂部固定安裝有橫桿，所述橫桿的頂部固定安裝有伺服電機，所述伺服電機的輸出軸貫穿并延伸至橫桿的外部且固定安裝有螺桿，所述螺桿的底部貫穿并延伸至石英管爐體的內部，所述螺桿的外表面螺紋連接有滑塊，所述滑塊的左右兩端均固定安裝有一端貫穿并延伸至豎桿內壁的限位塊，所述限位塊的內部固定連接有上下兩端均貫穿并延伸至限位塊外部的通水連接桿，所述通水連接桿的底部固定安裝有位于石英管爐體內部的水冷環，所述通水連接桿的頂部貫穿并延伸至橫桿的外部且與橫桿滑動連接，左側所述通水連接桿的頂部固定安裝有進水口，右側所述通水連接桿的頂部固定安裝有出水口。

優選的，所述螺桿的底部固定安裝有限位環，且限位環的直徑小于水冷環的直徑。

優選的，所述滑塊的內側開設有螺紋槽，所述螺紋槽與螺桿外表面的螺紋相適配。

優選的，所述支撐桿的底部固定安裝有穩定橡膠座，所述隔熱層內側的頂部開設有與穩定環相適配的環形槽。

優選的，所述隔熱層為真空隔熱層，所述通水連接桿的底部與水冷環的頂部相連通。

優選的，兩個所述豎桿相對的一側均開設有限位槽，且限位槽與限位塊相適配。

(三)有益效果

與現有技術相比，本實用新型提供了一種鉆石晶體生長裝置，具備以下有益效果：